[发明专利]一种在晶圆片上印刷预焊料工艺在审
申请号: | 201710791901.0 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107611038A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 骆宗友;刘忠玉 | 申请(专利权)人: | 东莞市佳骏电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/329 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523808 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片上 印刷 焊料 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及二极管加工设备技术领域,尤其涉及一种在晶圆片上印刷预焊料工艺。
背景技术
晶圆片的结构参照图1所示,从下至上依次包括:Ag层13、Si层12、SiO2层11、TiNiAg层10,现有技术中,普遍采用超声焊接以及锡膏焊接的方式将芯片与二极管支架组合成一体。对于长度和宽度均为0.4mm的晶圆片而言,可进行焊接的区域仅仅只能在长度和宽度均为0.3mm的范围内。现有加工方式是:在二极管支架的焊接面上点上锡,再通过回流焊将晶圆片与二极管支架组合成一体。现有加工方式存在的缺陷是:由于晶圆片上可焊接的区域非常的小,并且点胶的速度非常的快,经常出现焊接偏移的问题,导致产品短路,使产品直接报废,大大影响产品的质量。
发明内容
基于此,本发明的目的在于提供一种在晶圆片上印刷预焊料工艺,防止了晶圆片与二极管支架焊接过程中锡发生偏移的情况,从而提升了产品的质量,降低了产品的报废率。
本发明提供一种在晶圆片上印刷预焊料工艺,包括以下的工艺步骤:
(1).提供整版的晶圆片,将整版的晶圆片放置在加工平台上;
(2).在晶圆片的P正面上覆盖一层钢网,所述钢网上的网孔与每片晶圆片P正面上的TiNiAg层对应;
(3).在钢网上刷上一层锡膏,直至锡膏透过网孔覆盖在每个晶圆片的TiNiAg层上;
(4).移除钢网,使各晶圆片的TiNiAg层上仅剩余透过网孔覆盖的部分锡膏;
(5).将完成步骤(4)的整版晶圆片进行回流焊,使覆盖在TiNiAg层上的锡膏形成锡球,通过风机进行降温;
(6).将完成步骤(4)整版晶圆片交付封装使用。
作为优选的方式,所述钢网的网孔面积小于所述TiNiAg层的面积。
作为优选的方式,所述网孔的深度小于所述TiNiAg层的厚度。
作为优选的方式,所述步骤(5)中,回流焊的温度设定为290℃。
本发明的有益效果为:采用钢网在晶圆片的TiNiAg层上印刷一层锡膏,再通过回流焊使锡膏形成锡球,方便后期与二极管支架的组装,操作简便,从而防止了晶圆片与二极管支架焊接过程中锡发生偏移的情况,从而提升了产品的质量,降低了产品的报废率。
附图说明
图1为现有技术中晶圆片的结构示意图。
图2为步骤(2)中在晶圆片的P正面上覆盖一层钢网的示意图。
图3为步骤(3)中在钢网上刷上一层锡膏的示意图。
图4为步骤(4)中移除钢网的示意图。
图5为步骤(5)中完成回流焊的示意图。
附图标记为:TiNiAg层10、SiO2层11、Si层12、Ag层13、晶圆片14、钢网15、网孔16、锡膏17、锡球18。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
参照图1-5所示。
一种在晶圆片上印刷预焊料工艺,包括以下的工艺步骤:
(1).提供整版的晶圆片,将整版的晶圆片14放置在加工平台上;
(2).在晶圆片14的P正面上覆盖一层钢网15,所述钢网15上的网孔16与每片晶圆片14P正面上的TiNiAg层10对应;其中,所述钢网15的网孔15面积小于所述TiNiAg层10的面积,网孔16的深度小于所述TiNiAg层10的厚度;
(3).在钢网上刷上一层锡膏17,直至锡膏17透过网孔覆盖在每个晶圆片14的TiNiAg层10上;
(4).移除钢网,使各晶圆片14的TiNiAg层10上仅剩余透过网孔16覆盖的部分锡膏;
(5).将完成步骤(4)的整版晶圆片以290℃的高温进行回流焊,使覆盖在TiNiAg层上的锡膏形成锡球18,通过风机进行降温;
(6).将完成步骤(4)整版晶圆片交付封装使用。
本发明采用钢网在晶圆片的TiNiAg层10上印刷一层锡膏17,再通过回流焊使锡膏形成锡球18,方便后期与二极管支架的组装,操作简便,从而防止了晶圆片与二极管支架焊接过程中锡发生偏移的情况,从而提升了产品的质量,降低了产品的报废率。
上述实施例仅是显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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