[发明专利]一种铝碳化硅材质反射镜制备方法在审

专利信息
申请号: 201710792614.1 申请日: 2017-09-05
公开(公告)号: CN107500774A 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 刘波波;王号旗;刘艳芬 申请(专利权)人: 西安明科微电子材料有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622;G02B5/08
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 徐文权
地址: 710100 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 材质 反射 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,先制备铝碳化硅反射镜胚体,再进行粗抛光、热处理和精磨加工,依次镀铜和镀镍后经过表面处理得到表面粗糙度为Ra0.012μm,反射率为90%的铝碳化硅反射镜,所述铝碳化硅反射镜中碳化硅占铝碳化硅反射镜体积百分比的70%,所述铝碳化硅反射镜的密度>2.9g/cm3,热导率>210W/(m·K),抗弯强度>300MPa,热膨胀系数5.5×10-6/k~9.5×10-6/k。

2.根据权利要求1所述的一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、通过混料、配胶、造粒、干压、烧结、浸渗制备铝碳化硅反射镜胚体,化学原料包括碳化硅粉料、高岭土原料、聚乙烯醇PVA、羧甲基纤维素钠CMC和铝液;

S2、对步骤S1制备的铝碳化硅反射镜胚体进行粗抛光,达到1~10μm表面粗糙度;

S3、将步骤S2制备的铝碳化硅反射镜胚体进行热处理;

S4、对步骤S3的铝碳化硅反射镜胚体进行精磨,平面度<0.01mm,表面粗糙度<Ra0.05μm;

S5、在步骤S4所抛光的表面上进行化学镀铜,铜层的厚度为2~10μm;

S6、在步骤S5所得的镀铜层上再镀镍,镍层的厚度50~150μm;

S7、在步骤S6的镀镍层上进行表面光学精加工,得到铝碳化硅反射镜。

3.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,步骤S1所述铝碳化硅反射镜胚体材料的制备过程为:

S11、将碳化硅粉料和高岭土原料搅拌混合得到混合料,所述高岭土占原料总重量的1%~10%;

S12、按质量比6:2将聚乙烯醇PVA与羧甲基纤维素钠CMC混合配制成胶体,所述胶体的体积浓度为10%;

S13、将步骤S11制备的混合料和步骤S12制备的胶体按质量比5:2混合进行造粒;

S14、对步骤S13制备的造粒进行干压处理,保压压力10~50MPa,保压3~10s加工成碳化硅;

S15、将步骤S14所述碳化硅放入高压烧结炉内烧结成碳化硅陶瓷,所述高压烧结炉的温度为300~1200℃;

S16、将步骤S15所述碳化硅陶瓷放入真空炉内,加压5~10MPa,将铝液压入碳化硅陶瓷基体内,制成所述铝碳化硅。

4.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,步骤S2中,用180目金刚石砂轮进行粗磨。

5.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,步骤S3中,热处理温度从室温经3小时升至300℃,保温4小时,然后随炉冷却。

6.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅材质反射镜制备方法,其特征在于,步骤S4中,采用沥青抛光盘和12μm金刚石微粉与去离子水混合精磨,平面度为0.01mm,表面粗糙度为Ra0.05μm,抛光温度为-30~30℃。

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