[发明专利]湿蚀刻化学品

说明书

本发明以高选择性的湿蚀刻化学品移除多晶硅栅极，而不损伤围绕多晶硅栅极的层状物，其可用于金属栅极置换的整合方法。举例来说，湿蚀刻化学品可包含一或多种碱溶剂，其具有位阻的胺结构；缓冲系统，其包含氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；与水。

技术领域

本发明实施例关于选择性移除多晶硅或非晶硅的制程，更特别关于其采用的湿蚀刻化学品。

背景技术

在置换金属栅极的整合方法中，用于移除多晶硅的制程的湿蚀刻化学品，其于多晶硅与氧化硅之间的蚀刻选择性(或于多晶硅与氮化硅之间的蚀刻选择性)不理想。蚀刻化学品的蚀刻选择性不理想，在移除多晶硅的制程中将蚀刻或损伤围绕多晶硅的材料，造成缺陷(如产生粒子、材料扩散、材料劣化、或类似缺陷)、电性效能劣化(如漏电流)、以及晶片良率损失。

发明内容

本发明一实施例提供的湿蚀刻化学品包括：一或多种碱溶剂，其中至少一碱溶剂包括位阻的胺结构；缓冲系统，包括氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；以及水。

附图说明

图1是一些实施例中，具有牺牲多晶硅栅极的例示性场效晶体管结构。

图2是进行多晶硅湿蚀刻制程后的例示性结构，且此湿蚀刻制程的多晶硅选择性差。

图3是一些实施例中，例示性的栅极置换方法的流程图，其采用例示性的湿蚀刻化学品移除牺牲多晶硅栅极。

图4是一些实施例中，包含栅极介电物与栅极的例示性栅极堆叠。

图5是一些实施例中，具有第一间隔物的例示性栅极堆叠。

图6是一些实施例中，具有第一间隔物与源极/漏极延伸物的例示性栅极堆叠。

图7是一些实施例中，具有第一间隔物、源极/漏极延伸物、与第二间隔物的例示性栅极堆叠。

图8是一些实施例中，具有第一间隔物、源极/漏极延伸物、第二间隔物、以及源极/漏极区的例示性栅极堆叠。

图9是一些实施例中，进行干蚀刻制程之后的例示性栅极堆叠，其具有凹陷的栅极。

【符号说明】

100 场效晶体管结构

110 半导体基板

120 轻掺杂区

130 重掺杂区

140 栅极结构

150 栅极

160 栅极介电物

170 第一间隔物

180 第二间隔物

190 层间介电物

200 晶体管结构

210 孔洞

300 制程

305、310、315、320、325、330、335 步骤

600 通道区

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本发明的不同结构。特定构件与排列的例子用以简化本发明而非局限本发明。举例来说，形成第一结构于第二结构上的叙述包含两者直接接触，或两者的间隔有其他额外结构而非直接接触。此外，本发明的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。