[发明专利]一种陶器自动刻花施釉方法有效

专利信息
申请号: 201710794604.1 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN107553700B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 颜育文 申请(专利权)人: 佛山市大境陶瓷科技有限公司
主分类号: B28B11/00 分类号: B28B11/00
代理公司: 佛山卓就专利代理事务所(普通合伙) 44490 代理人: 陈雪梅
地址: 528000 广东省佛山市禅*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 刻花 施釉 红外射线 陶器 生产效率 相关参数 发射器发射 自动化生产 技术模拟 面状 遮挡 标准化 自动化 阴影 制作
【权利要求书】:

1.一种陶器自动刻花施釉方法,其特征在于,其通过计算机自动控制刻花和施釉两道工序同步进行,其包括以下详细步骤:

步骤S10,通过电脑绘图软件设计并绘制出需要的图案,将图案导入刻花施釉设备;

步骤S20,将已经经过晒胚工序晒干的陶胚放置在旋转托盘中,旋转托盘两面分别设置有面状红外发射器和接收器;

步骤S30,启动转盘和红外线发射器,位于旋转托盘上的陶胚阻挡部分红外射线射到接收器中,在接收器面上形成一个陶胚正视图状阴影,系统记录阴影形状;

步骤S40,计算机根据旋转托盘的转速和方向,系统自动将记录到的红外射线阴影按顺序合成陶胚外形3D模型;

步骤S50,计算机根据3D模型计算出泥胚形状物理参数,自动渲染调整步骤S10中绘制的图像并将图像模拟绘制在3D模型中;

步骤S60,根据模拟绘制结果,控制刻花刀在陶器表面进行刻花并同步控制喷釉枪对刻花完成的部位进行喷釉。

2.根据权利要求1所述的一种陶器自动刻花施釉方法,其特征在于,所述的面状红外射线截面能完全覆盖陶器最大剖面。

3.根据权利要求1所述的一种陶器自动刻花施釉方法,其特征在于,所述的转盘通过高敏压力传感器监测压力变化,当检测到托盘压力受到冲击力时停止作业并发出错误警报。

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