[发明专利]一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件

权利要求书

1.一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(150)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(140)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区A(121)和第二种导电类型重掺杂区A(122)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂B(141)和第二种导电类型重掺杂区B(142)，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处设有第一种导电类型重掺杂区C(131)、其左右边界分别位于两个阱区内；其特征在于，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处还设有一个ESD注入层(132)、位于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)下方，所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)和所述第二种导电类型阱区(140)之间，其左右边界同样分别位于两个阱区内。

2.按权利要求1所述用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，其特征在于，所述第一种导电类型阱区，所述第一种导电类型重掺杂区C(131)与ESD注入层(132)的边界间距为D1、D1>0。