[发明专利]一种通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法在审
| 申请号： | 201710796726.4 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107546227A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 田志;钟林建 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 提高 ono 电容 改善 闪存 单元 耦合 方法 | ||
1.一种通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将闪存单元流片至形成浮栅极工艺之前的步骤；
在上述结构上淀积浮栅极多晶硅层并进行化学机械研磨处理；
对存储单元区部分进行湿法刻蚀，露出浮栅极的顶角；
对存储单元区部分进行干法刻蚀，去除浮栅极顶角的尖角，使其形成圆滑结构；
进行闪存单元后续工艺处理流程。
2.根据权利要求1所述的通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，该方法还包括：通过各向同性的湿法进行刻蚀，使ONO包围区域的介质层厚度降低，从而使ONO区域的电容增加。
3.根据权利要求2所述的通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，所述ONO介质层包括：氧化硅-氮化硅-氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，所述对存储单元区部分进行湿法刻蚀的深度为设定第一深度H1。
5.根据权利要求1所述的通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，所述对存储单元区部分进行干法刻蚀的深度为设定第二深度H2。
6.根据权利要求4和5所述的通过提高ONO电容改善闪存单元耦合率的方法，其特征在于，该方法还包括在浮栅极顶角圆滑结构形成之后对存储单元区部分进行湿法刻蚀，其刻蚀深度为H3＝H-H1-H2，其中H代表为闪存单元浅沟槽隔离的深度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
