[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

电源垫；

金属层；

第1存储体，具备：第1存储器阵列以及在所述第1存储器阵列的第1侧的第1周边电路；

第2存储体，具备：第2存储器阵列以及在所述第2存储器阵列的第1侧的第2周边电路，且所述第1存储体在第1方向上位于所述电源垫与所述第2存储体之间；

在所述金属层中的多个第1电源供给配线，在与所述第1方向交叉的第2方向上彼此隔开，所述多个第1电源供给配线的各个在所述第1方向上越过所述第1存储器阵列地延伸而到达所述第1周边电路，并将所述电源垫与所述第1周边电路连接，所述多个第1电源供给配线未到达所述第2周边电路；

在所述金属层中的多个第2电源供给配线，在所述第2方向上彼此隔开，所述多个第2电源供给配线的各个在所述第1方向上越过所述第1存储器阵列、所述第1周边电路及所述第2存储器阵列地延伸而到达所述第2周边电路，并将所述电源垫与所述第2周边电路连接，所述多个第2电源供给配线在所述金属层中位于在所述第2方向上从所述多个第1电源供给配线的位置偏移的位置；以及

在所述金属层中的多个第3电源供给配线，在所述第2方向上彼此隔开，所述多个第3电源供给配线的各个在所述第1方向上越过所述第2存储器阵列地延伸而到达所述第2周边电路，所述多个第3电源供给配线和所述多个第2电源供给配线以及所述第2周边电路电连接，所述多个第3电源供给配线的位置在所述第2方向上从所述多个第2电源供给配线的所述位置偏移，所述多个第3电源供给配线分别在所述第2方向上和所述多个第1电源供给配线的所述位置对齐。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述金属层中的所述多个第1电源供给配线的总数少于所述金属层中的所述多个第2电源供给配线的条数和所述金属层中的所述多个第3电源供给配线的条数的加总。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述多个第1电源供给配线在与所述金属层的面正交的第3方向上位于所述第1存储体的上方；且所述多个第2电源供给配线在所述第3方向上位于所述第1存储体以及所述第2存储体的上方；且

所述多个第3电源供给配线在所述第3方向上位于所述第2存储体的上方，但不位于所述第1存储体的上方。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第1电源供给电路，设置在所述电源垫与所述多个第1电源供给配线之间；及

第2电源供给电路，设置在所述电源垫与所述多个第2电源供给配线之间。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

多个第1电源供给电路，各自设置在所述电源垫与所述多个第1电源供给配线的相应一个之间；及

多个第2电源供给电路，各自设置在所述电源垫与所述多个第2电源供给配线的相应一个之间。

6.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1电源垫；

第2电源垫；

金属层，包含：多个第1电源供给配线、多个第2电源供给配线以及多个第3电源供给配线；

第1存储体，具备多个存储单元以及第1周边电路；以及

第2存储体，具备多个存储单元以及第2周边电路，所述第1存储体在与所述金属层平行的第1方向上位于所述第1及第2电源垫与所述第2存储体之间；

所述金属层在与所述金属层的面正交的第2方向上位于所述第1及第2存储体的上方；

所述多个第1电源供给配线连接在所述第1电源垫，对所述第1周边电路供给电源，但不对所述第2周边电路供给电源；

所述多个第2电源供给配线连接在所述第2电源垫，通过所述第1存储体及所述第2存储体的上方，对所述第2周边电路供给电源，但不对所述第1周边电路供给电源；且

所述多个第3电源供给配线在所述第2存储体的上方但不在所述第1存储体的上方，并通过所述多个第2电源供给配线而和所述第2电源垫电连接，对所述第2周边电路供给电源，但不对所述第1周边电路供给电源。