[发明专利]一种结合EMI滤波和软启动的电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201710798023.5 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN107482899B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 万君;林庄;赵隆冬;袁宝山;赵杰;刘金鹏;蔡钧璞;张威 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十三研究所
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M1/32;H02M1/36
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 金凯
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 结合 emi 滤波 启动 电路 及其 控制 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子设备供电系统领域,具体涉及一种结合EMI滤波的电路及其控制方法。

背景技术

供电系统是各种电子设备中不可缺少的组成部分,随着军用装备的发展和系统集成度的提高,电子设备的工作环境越来越复杂,其中系统内部的EMI噪声和开机浪涌电流带来的影响尤为突出,关系到整机工作性能和使用寿命。通常的解决方法是在设备的输入端增加EMI电源滤波器,这样可以有效滤除EMI噪声,但无法消除开机浪涌电流形成的冲击。

发明内容

本发明要解决的技术问题是通过EMI滤波电路与软启动电路相结合,设计出适合高可靠应用场合的电子设备供电部分的入口电路,该电路拓扑结构结构简单,工作稳定可靠,应用效果好,提升了设备的整体可靠性。

本发明的技术方案为:

一种结合EMI滤波和软启动的电路,包括EMI滤波电路,滤波电路包括共模滤波电感L1,还包括至少一个软启动电路,所述软启动电路包括MOSFET管V1,MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接;所述软启动电路包括分压电路,分压电路一端与外部输入正端以及所述共模滤波电感L1输入正端连接,另一端与外部输入地相连;所述软启动电路包括启动电容,启动电容两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连;同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与分压电路的两端相连,其中源极接外部输入地相连。

一种结合EMI滤波和软启动的电路,所述分压电路由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2串联构成,其中第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连,第二分压电阻R2与外部输入地相连;同时MOSFET管V1的栅极、源极分别与第二分压电阻R2的两端相连。

一种结合EMI滤波和软启动的电路,所述软启动电路由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联构成,第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连;

一种结合EMI滤波和软启动的电路,所述EMI滤波电路包括共模滤波电感L1、第一共模滤波电容C4、第二共模滤波电容C5、差模滤波电感L2、差模滤波电容C3; 所述共模滤波电感L1的输入正、负端分别与外部输入正端和软启动电路中MOSFET管V1的漏极相连,共模滤波电感L1的输出正、负端分别与差模滤波电感L2一端、输出地相连;差模滤波电感L2绕组的两端分别与共模滤波电感L1和输出正端相连;差模滤波电容C3的两端分别与输出正端、输出地相连;第一共模滤波电容C4的一端接输出正端,一端接外壳,第二共模滤波电容C5的一端接输出地,一端接外壳。

一种结合EMI滤波和软启动电路的控制方法,包括以下步骤:

(1)当启动输入时,由第一分压电阻R1、第二分压电阻R2组成的分压电路将分电压送至MOSFET管V1的栅极,与第二分压电阻R2并联的第一软启动电容C1、第二软启动电容C2由于充电效应使得第二分压电阻R2上端的分电压即MOSFET管V1栅极电压缓慢上升,MOSFET管V1也由截止状态缓慢导通;

(2)当软启动电容充电结束后,第二分压电阻R2上端的分电压达到稳态,软启动过程完成,MOSFET管V1已处于完全导通状态,前后级电路形成通路,开机浪涌电流在软启动过程中得到抑制;

(3)当电路工作于稳定状态时,由共模滤波电感L1和共模滤波电容组成的LC低通滤波器对在电源线和壳之间传导的共模噪声进行滤除;

(4)当电路工作于稳定状态时,由差模滤波电感L2和差模滤波电容C3组成的LC低通滤波器对在电源线之间传导的差模噪声进行滤除。

本发明在软启动电路中,第一分压电阻R1与外部输入正端以及共模滤波电感L1的输入正端相连,第二分压电阻R2与外部输入地相连。当由第一分压电阻R1和第二分压电阻R2构成的分压电路的两端与输入电压相接时,在R1与R2的接点处形成的分压与MOSFET管V1的栅极相连,作为MOSFET管V1的开启电压;由第一软启动电容C1和第二软启动电容C2串联后形成相互冗余并且两端分别与MOSFET管V1的栅极、源极相连作为软启动电容,其中源极接外部输入地相连,利用电容的充电效应使MOSFET管V1的栅极电压缓慢上升,导致MOSFET管V1由截止状态缓慢导通,从而起到抑制开机浪涌电流的作用,软启动过程完成后,电阻R3端头的电压达到稳态,MOSFET管V1处于完全导通状态。MOSFET管V1的漏极和EMI滤波电路中共模滤波电感L1的输入负端相连接,当MOSFET管V1导通后,则前后级电路形成通路。

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