[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，提供有电子器件；

层间介电(ILD)层，形成在所述电子器件上方；

布线图案，形成在所述层间介电层上或中；以及

接触件，形成在所述层间介电层中并且将所述布线图案物理地且电连接至所述电子器件的导电区；以及

绝缘衬垫层，提供在位于所述接触件和所述层间介电层之间的所述接触件的侧壁上，

其中，从所述电子器件的所述导电区的顶部测量的所述绝缘衬垫层的高度小于在所述导电区的所述顶部和界面的水平面之间测量的所述接触件的高度的90％，所述界面位于所述层间介电层和所述布线图案之间，从所述绝缘衬垫层的顶部至所述界面，所述接触件接触所述层间介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬垫层由与所述层间介电层不同的材料制成，并且由SiN、SiC、SiOCN、SiCN、SiON和SiOC的一层或多层制成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子器件是场效应晶体管(FET)，并且所述导电区是所述场效应晶体管的源极或漏极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述源极和漏极两者包括外延形成的层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子器件是场效应晶体管(FET)，并且所述导电区是所述场效应晶体管的栅极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，

所述导电区是所述场效应晶体管的源极或漏极，以及

所述层间介电层的部分位于设置在所述栅极上的侧壁间隔件和所述绝缘衬垫层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，

所述导电区是所述场效应晶体管的源极或漏极，以及

所述绝缘衬垫层与设置在所述栅极的侧壁上方的绝缘层接触或与所述栅极的侧壁接触，而没有所述层间介电层插接在所述绝缘衬垫层和所述绝缘层之间或所述绝缘衬垫层和所述栅极的侧壁之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，以及

所述绝缘衬垫层的顶部位于比所述栅极的导电层的顶部更高的水平面处。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，

在所述栅极的顶部上提供绝缘盖层，

所述导电区是所述场效应晶体管的所述源极或所述漏极，以及

所述层间介电层的部分位于设置在所述栅极上的侧壁间隔件和所述绝缘衬垫层之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，

在所述栅极的顶部上提供绝缘盖层，

所述导电区是所述场效应晶体管的所述源极或所述漏极，以及

所述绝缘衬垫层与设置在所述栅极的侧壁和所述绝缘盖层上方的绝缘层接触或与所述栅极的侧壁接触，而没有所述层间介电层插接在所述绝缘衬垫层和所述绝缘层之间或所述绝缘衬垫层和所述栅极的侧壁之间。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电子器件是具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(FET)，

在所述栅极的顶部上提供绝缘盖层，以及

所述绝缘衬垫层的顶部位于比所述绝缘盖层的顶部更高的水平面处。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘衬垫层的厚度在从1nm至5nm的范围内。