[发明专利]光检测器及放射线检测器有效
申请号: | 201710799838.5 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN108573987B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 八木均;长谷川励;熟田昌己 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测器 放射线 | ||
1.一种光检测器,具备:
基板,具有第1面及与上述第1面对置的第2面;及
多个像素,设置于上述基板,
各像素具备:
多个光检测单元,该多个光检测单元设置于上述基板的上述第1面,各光检测单元具有第1端子和与上述基板连接的第2端子,并且在从上述基板的上述第2面侧观看时,周围被设置于上述第2面的具有连续的闭曲线形状的第1开口部包围;
第1布线,设置于上述基板的上述第1面,与上述多个光检测单元各自的上述第1端子连接;
第1绝缘膜,覆盖上述基板的上述第2面、设置于上述基板的上述第2面并贯通上述基板且供上述第1布线的一部分露出的第2开口部的侧面、上述第1开口部的侧面及底面;
多个第1电极,设置于多个第3开口部的每个第3开口部,与上述基板的上述第2面连接,该多个第3开口部的每个第3开口部设置于上述第1绝缘膜,并供与上述基板的上述第2面中的上述光检测单元分别对应的区域的一部分露出;
第2电极,设置于上述基板的上述第2面侧,将上述多个第1电极连接;以及
遮光部件,被填充于上述第1开口部。
2.根据权利要求1所述的光检测器,还具备第3电极,该第3电极设置于上述第2开口部,与上述第1布线连接。
3.根据权利要求1或2所述的光检测器,上述遮光部件是黑色抗蚀剂。
4.根据权利要求1或2所述的光检测器,上述遮光部件是金属。
5.根据权利要求1所述的光检测器,上述基板具备n型基板及设置在上述n型基板上的p型外延层,上述光检测单元设置于上述p型外延层。
6.根据权利要求1所述的光检测器,上述像素排列为阵列状。
7.根据权利要求1所述的光检测器,上述光检测单元分别包括雪崩光电二极管。
8.根据权利要求1所述的光检测器,还具备:
第2绝缘膜,设置于上述基板的上述第1面,覆盖上述多个光检测单元及上述第1布线;以及
透明的支承体,设置在上述第2绝缘膜上与上述基板相反一侧,隔着粘接件与上述第2绝缘膜接合。
9.一种放射线检测器,具备:
闪烁器,将放射线变换为可见光;以及
接收通过上述闪烁器变换后的可见光的权利要求1所述的光检测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的