[发明专利]图像传感器的形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供工艺衬底，所述工艺衬底包括相背设置的第一面和第二面；

在所述第一面上形成过渡层；

在所述过渡层上形成第一掺杂层；

在所述第一掺杂层上形成感光结构；

形成所述感光结构之后，以所述过渡层为停止层，对所述工艺衬底的第二面进行减薄处理，以去除所述工艺衬底；

去除所述工艺衬底之后，去除所述过渡层，露出所述第一掺杂层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层的致密度大于所述第一掺杂层的致密度。

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，去除所述过渡层的步骤中，所述过渡层的去除速率大于所述第一掺杂层的去除速率。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述过渡层的步骤包括：通过湿法清洗的方式去除所述过渡层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层的材料为锗；所述第一掺杂层的材料为掺杂的硅。

6.如权利要求1、2或5所述的形成方法，其特征在于，通过H₂O₂湿法清洗的方式去除所述过渡层。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过化学机械研磨的方式对所述工艺衬底的第二面进行减薄处理，以去除所述工艺衬底。

8.如权利要求1或7所述的形成方法，其特征在于，所述过渡层的硬度大于所述工艺衬底的硬度。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一掺杂层上形成感光结构的步骤包括：

在所述第一掺杂层上形成感光结构，所述感光结构包括两个以上的感光叠层，所述感光叠层包括第二掺杂层和位于所述第二掺杂层上的第三掺杂层，所述第二掺杂层内掺杂离子的导电类型与所述第一掺杂层内掺杂离子的导电类型不同，所述第三掺杂层内掺杂离子的导电类型与所述第一掺杂层内掺杂离子的导电类型相同。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，通过外延生长的方式形成所述过渡层、所述第一掺杂层以及所述感光结构中的感光叠层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，外延生长的过程中进行原位离子掺杂以形成所述第一掺杂层和所述感光叠层。

12.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成所述感光结构之后，对所述工艺衬底的第二面进行减薄处理之前，还包括：

在所述感光结构内形成连接插塞，所述连接插塞与所述第二掺杂层电连接。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述图像传感器包括多个像素单元；每个像素单元中，所述连接插塞的数量与所述感光叠层的数量相等；所述连接插塞与所述感光叠层中的第二掺杂层一一对应相连。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述感光叠层的数量为三个；

每个像素单元中，所述连接插塞的数量为三个；

形成所述感光结构的步骤包括：在所述第一掺杂层上依次形成第一感光叠层、第二感光叠层和第三感光叠层；

形成所述互连结构的步骤包括：

在所述第三感光叠层上形成介电层；

在所述介电层上形成第一图形层，所述第一图形层内具有第一开口；

沿所述第一开口进行刻蚀，形成第一接触孔，所述第一接触孔底部露出所述第一感光叠层的第二掺杂层；

在所述第一接触孔内形成第一插塞；

在所述介电层上形成第二图形层，所述第二图形层内具有第二开口；

沿所述第二开口进行刻蚀，形成第二接触孔，所述第二接触孔底部露出所述第二感光叠层的第二掺杂层；

在所述第二接触孔内形成第二插塞；

在所述介电层上形成第三图形层，所述第三图形层内具有第三开口；

沿所述第三开口进行刻蚀，形成第三接触孔，所述第三接触孔底部露出所述第三感光叠层的第二掺杂层；

在所述第三接触孔内形成第三插塞。