[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710800060.5 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107611178B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黄熙敦;金周訚;南基弘;金奉炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；
沟槽，在所述衬底中并在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间，所述第一源极/漏极区通过所述沟槽与所述第二源极/漏极区间隔开；
栅电极，设置在所述沟槽的下部分；
覆盖层，在所述栅电极上并在所述沟槽的上部分；以及
绝缘膜，在所述沟槽内，所述绝缘膜具有在所述衬底与所述栅电极之间的第一部分以及在所述覆盖层与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的至少一个之间的第二部分，
其中所述绝缘膜的所述第二部分包括N、La和B中的至少一种材料，其中N、La和B中的所述至少一种材料仅提供在所述绝缘膜的所述第二部分中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜的所述第一部分的厚度大于所述绝缘膜的所述第二部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜的所述第一部分的厚度基本上等于所述绝缘膜的所述第二部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述覆盖层包括硅氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜不沿着所述衬底的上表面延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述覆盖层包括下部分以及在所述下部分上的上部分，并且
其中所述下部分具有与所述上部分不同的材料。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述下部分的介电常数大于所述上部分的介电常数。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜的所述第二部分包括第一绝缘膜和第二绝缘膜，并且
其中所述第二绝缘膜位于所述第一绝缘膜与所述覆盖层之间。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二绝缘膜包括沿着所述栅电极的顶表面形成的部分。
10.一种半导体器件，包括：
衬底，包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；
沟槽，在所述衬底中并在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间，所述沟槽包括具有球形的第一部分并包括第二部分；
栅电极，在所述沟槽的球形的所述第一部分处；
覆盖层，在所述栅电极上并在所述沟槽的所述第二部分处；以及
绝缘膜，在所述沟槽内，所述绝缘膜具有在所述衬底与所述栅电极之间的第一部分以及在所述覆盖层与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的至少一个之间的第二部分，
其中所述绝缘膜的所述第二部分包括N、Hf、Zr、La、Mg、B、Al、P、As、Ar和H中的至少一种材料，其中N、Hf、Zr、La、Mg、B、Al、P、As、Ar和H中的所述至少一种材料仅提供在所述绝缘膜的所述第二部分中。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘膜的所述第一部分的厚度大于所述绝缘膜的所述第二部分的厚度。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述覆盖层包括硅氮化物。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述绝缘膜不沿着所述衬底的上表面延伸。
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