[发明专利]背投影式光电探测清纱装置及其紫外增强型硅光电二极管

权利要求书

1.一种背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：包括设置于待检测纱线后方的发光管和探测器，还包括设置于待检测纱线前方的反射镜，发光管的前端面与探测器的光敏面齐平设置，发光管与探测器的前方还设置有用于选取330nm～470nm的波段光线的滤光片，所述反射镜的反光面与探测器的光敏面平行，所述发光管包括紫外发光二极管，所述探测器包括紫外增强型硅光电二极管，紫外增强型硅光电二极管由电阻率为3000Ω·cm、场氧化厚度为1000nm的高电阻率N型(111)硅片制成，一面注入剂量为4x10¹⁴cm^-2～5x10¹⁴cm^-2、能量为30Kev的硼而形成P形区，另一面注入剂量为5x10¹⁵cm^-2、能量为100Kev的磷而形成N+区，硅片的P型区抛光、N+区磨光，P型区和N+区的氧化层厚度均为50nm～60nm。

2.根据权利要求1所述的一种背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：所述紫外增强型硅光电二极管采用二段式高低温退火处理，先在高温1000℃环境下处理30秒，再在低温600℃环境下处理8至12小时。

3.根据权利要求2所述的一种背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：所述发光管对称分列在探测器的左右两侧，每侧发光管的数量至少为两只，每侧的发光管均沿上下方向间隔均布。

4.根据权利要求2所述的一种背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：发光管的壳体包括可发散光线的磨砂面。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：所述探测器上连接有信号处理系统，信号处理系统包括依次布置的信号接收模块、放大模块、滤波模块、整形模块和比较输出模块。

6.紫外增强型硅光电二极管，其特征在于：由电阻率为3000Ω·cm、场氧化厚度为1000nm的高电阻率N型(111)硅片制成，一面注入剂量为4x10¹⁴cm^-2～5x10¹⁴cm^-2、能量为30Kev的硼而形成P形区，另一面注入剂量为5x10¹⁵cm^-2、能量为100Kev的磷而形成N+区，硅片的P型区抛光、N+区磨光，P型区和N+区的氧化层厚度均为50nm～60nm。

7.根据权利要求6所述的紫外增强型硅光电二极管，其特征在于：所述紫外增强型硅光电二极管采用二段式高低温退火处理，先在高温1000℃环境下处理30秒，再在低温600℃环境下处理8至12小时。