[发明专利]一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710800552.4 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN107686972A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 彭寿;沈洪雪;金克武;王天齐;甘治平;李刚;姚婷婷;杨勇 申请(专利权)人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 代理人: 尹杰
地址: 233010 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 掺杂 金刚石 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、选用0.3-0.5mm的超白玻璃为衬底材料;

步骤二、对衬底材料进行超声波清洗;

步骤三、设置W靶材和C靶材,W靶材和C靶材相交是设置,且两靶材的交点位于样品架处;

步骤四、把清洗后的超白玻璃衬底放置于样品架上;

步骤五、使用Ar离子轰击W、C两靶材,达到清洗和活化靶材的作用;

步骤六、把清洗后的衬底材料放入真空度抽至3.0×10-4—5.0×10-4Pa的溅射腔室内,通入氩气进行预溅射起辉,同时再通入氮气。

2.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:所述衬底材料为0.4mm的超白高透玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:所述W靶材和所述C靶材与水平面都成45°交角。

4.根据权利要求1或3所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:所述W靶材和所述C靶材的功率能够单独调节。

5.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:所述薄膜的整个制备过程中保持所述W靶材和所述C靶材的基距,以及衬底转速不变。

6.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:步骤二采用丙酮、酒精和去离子水分别对所述衬底材料进行超声波清洗,以达到去除衬底表面杂质和油污的目的,清洗后用热风吹干。

7.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:步骤六中在通入氩气后,让两靶材空烧一段时间,除表面的杂质以及氧化物。

8.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:步骤六中所述溅射腔室的真空度为4.0×10-4Pa。

9.根据权利要求1所述的一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于:步骤六中溅射起辉的电源为直流电源,进行溅射镀膜时,W靶材和C靶材的工艺参数为:两靶材功率都为20—50W,氩气与氮气的流量比例为3:1—16:1,具体的为氩气10—40sccm、氮气2—10sccm,工作气压为0.2—2.0Pa,溅射时间10—60s。

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