[发明专利]连续生产粒状多晶硅的方法在审
| 申请号： | 201710800673.9 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109467090A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 大卫·米克森;本·菲尔斯曼 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C01B33/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粒状多晶硅 硅粉 沉积 流化床反应器 化学反应 进气口区域 含硅气体 混合进料 进气管道 有效抑制 喷嘴 流态化 滞留区 结垢 生产 延迟 团聚 堵塞 | ||
1.一种连续生产粒状多晶硅的方法，包括以下步骤：
a）硅籽晶加入流化床反应器形成流化床床层，经预热的含硅原料气体和HCl混合气体通过原料进气管线进入流化床反应器，并通过喷嘴或气体分布器进入流化床反应区，进气带动硅籽晶颗粒形成流化床；
b）流化床反应器内部流化态趋于稳定后，含硅原料气体在500℃~1200℃床层温度条件下发生化学气相沉积反应，并在颗粒硅籽晶表面沉积硅，直至颗粒硅籽晶长大得到粒状多晶硅产品；
其中，所述HCl与含硅原料气体的摩尔比为0.01~0.6，且所述含硅原料气体和HCl的混合气体被预热至不超过750℃。
2.根据权利要求1所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述HCl与含硅原料气体的摩尔比为0.08~0.3。
3.根据权利要求2所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述HCl与含硅原料气体的摩尔比为0.1~0.2。
4.根据权利要求1所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述含硅原料气体和HCl的混合气体被预热至300℃~700℃。
5.根据权利要求4所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述含硅原料气体和HCl的混合气体被预热至450℃~650℃。
6.根据权利要求1所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述含硅原料气体选自硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅或四氯化硅中的任一种或组合。
7.根据权利要求6所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述含硅原料气体为三氯氢硅。
8.根据权利要求1所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述含硅原料气体和HCl混合气体中还包括稀释气体，所述稀释气体选自氢气或惰性气体。
9.根据权利要求1所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于还包括在所述混合气体预热器的下游或者下游管道内或者气体分布器送气腔室内通过使用一个内联的混合设备添加额外HCl的步骤。
10.根据权利要求9所述的连续生产粒状多晶硅的方法，其特征在于所述内联的混合设备可监测气流内的HCl浓度，以确保HCl的浓度不低于所需的浓度。
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