[发明专利]一种耐高温环境障碍涂层及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710800868.3 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN109468574B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 牛亚然;钟鑫;周海军;李红;董绍明;郑学斌;孙晋良;丁传贤 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/11;C23C4/04;C23C4/18
代理公司: 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 代理人: 马小星
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 环境 障碍 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层依次为基体、位于所述基体表面的粘结层、面层、以及位于所述粘结层和面层之间的中间层,所述基体为C/SiC复合材料或C/C复合材料;所述粘结层为SiC,所述中间层为Yb2Si2O7,所述面层为稀土单硅酸盐Re2SiO5;所述稀土单硅酸盐Re2SiO5;选自Y2SiO5、Sc2SiO5、Gd2SiO5、Er2SiO5、Tm2SiO5、Yb2SiO5、Lu2SiO5中的至少一种;

所述耐高温环境障碍涂层的制备方法由以下步骤组成:

(1)采用等离子体喷涂法,将Si粉喷涂在基体材料表面,得到Si层,所述基体为C/SiC复合材料或C/C复合材料,所述Si 层的厚度为30~500μm;

(2)将喷涂有Si层的基体置于惰性保护气氛中,在1450~1800℃下热处理1~4小时,使Si层原位反应形成厚度为5~200μm的SiC粘结层;

(3)采用等离子体喷涂法,将Yb2Si2O7粉体喷涂在带有SiC粘结层的基体上,形成中间层;

(4)采用等离子体喷涂法,将稀土单硅酸盐Re2SiO5;粉体喷涂在带有粘结层和中间层的基体上,得到所述耐高温环境障碍涂层;

所述等离子体 喷涂法的参数包括:等离子体气体Ar:35~55slpm;粉末载气Ar:2~7slpm;等离子体气体H2:5~15slpm;喷涂距离:90~200mm;喷涂功率:30~50kw;送粉速率:10~35r/min。

2.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述粘结层的厚度为10~100μm。

3.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述中间层的厚度为5~200μm。

4.根据权利要求3所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述中间层的厚度为30~200μm。

5.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述面层的厚度为5~200μm。

6.根据权利要求5所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述面层的厚度为30~200μm。

7.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层的总厚度大于80μm。

8.根据权利要求7所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层的总厚度为100~400μm。

9.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述Si粉的粒径为20~100μm,所述Yb2Si2O7,粉体的粒径为20~100μm,所述稀土单硅酸盐Re2SiO5粉体的粒径为20~100μm。

10.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,离子体气体Ar:35~48slpm;等离子体气体H2:5~13slpm;喷涂功率:30~45kw。

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