[发明专利]一种耐高温环境障碍涂层及制备方法有效
申请号: | 201710800868.3 | 申请日: | 2017-09-07 |
公开(公告)号: | CN109468574B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 牛亚然;钟鑫;周海军;李红;董绍明;郑学斌;孙晋良;丁传贤 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C23C4/134 | 分类号: | C23C4/134;C23C4/11;C23C4/04;C23C4/18 |
代理公司: | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人: | 马小星 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐高温 环境 障碍 涂层 制备 方法 | ||
1.一种耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层依次为基体、位于所述基体表面的粘结层、面层、以及位于所述粘结层和面层之间的中间层,所述基体为C/SiC复合材料或C/C复合材料;所述粘结层为SiC,所述中间层为Yb2Si2O7,所述面层为稀土单硅酸盐Re2SiO5;所述稀土单硅酸盐Re2SiO5;选自Y2SiO5、Sc2SiO5、Gd2SiO5、Er2SiO5、Tm2SiO5、Yb2SiO5、Lu2SiO5中的至少一种;
所述耐高温环境障碍涂层的制备方法由以下步骤组成:
(1)采用等离子体喷涂法,将Si粉喷涂在基体材料表面,得到Si层,所述基体为C/SiC复合材料或C/C复合材料,所述Si 层的厚度为30~500μm;
(2)将喷涂有Si层的基体置于惰性保护气氛中,在1450~1800℃下热处理1~4小时,使Si层原位反应形成厚度为5~200μm的SiC粘结层;
(3)采用等离子体喷涂法,将Yb2Si2O7粉体喷涂在带有SiC粘结层的基体上,形成中间层;
(4)采用等离子体喷涂法,将稀土单硅酸盐Re2SiO5;粉体喷涂在带有粘结层和中间层的基体上,得到所述耐高温环境障碍涂层;
所述等离子体 喷涂法的参数包括:等离子体气体Ar:35~55slpm;粉末载气Ar:2~7slpm;等离子体气体H2:5~15slpm;喷涂距离:90~200mm;喷涂功率:30~50kw;送粉速率:10~35r/min。
2.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述粘结层的厚度为10~100μm。
3.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述中间层的厚度为5~200μm。
4.根据权利要求3所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述中间层的厚度为30~200μm。
5.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述面层的厚度为5~200μm。
6.根据权利要求5所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述面层的厚度为30~200μm。
7.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层的总厚度大于80μm。
8.根据权利要求7所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述耐高温环境障碍涂层的总厚度为100~400μm。
9.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,所述Si粉的粒径为20~100μm,所述Yb2Si2O7,粉体的粒径为20~100μm,所述稀土单硅酸盐Re2SiO5粉体的粒径为20~100μm。
10.根据权利要求1所述的耐高温环境障碍涂层,其特征在于,离子体气体Ar:35~48slpm;等离子体气体H2:5~13slpm;喷涂功率:30~45kw。
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