[发明专利]一种直流主备电源切换电路有效
申请号: | 201710802934.0 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN107516936B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 胡伟纲 | 申请(专利权)人: | 天津汇康医用设备有限公司 |
主分类号: | H02J9/06 | 分类号: | H02J9/06 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300000 天津市南开区华*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直流 电源 切换 电路 | ||
1.一种直流主备电源切换电路,其特征在于:包括主电源开关电路、备用电源开关电路、电源切换触发电路和电源切换死区延时电路;所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与主电源输入正极V1+和备用电源输入正极V2+电连接,且所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路分别与所述电源切换死区延时电路电连接;所述电源切换触发电路的输入端与所述主电源输入正极电连接,输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路电连接;所述主电源开关电路包括MOS管Q1和MOS管Q2;所述主电源输入正极V1+与所述MOS管Q1的S极电连接,所述主电源输入正极V1+串联电阻R1后与所述MOS管Q1的G极电连接;所述MOS管Q1的G极串联电阻R5后与三极管Q5的集电极电连接;所述MOS管Q1的D极与所述MOS管Q2的D极电连接;所述MOS管Q2的G极串联电阻R6后与三极管Q6的集电极电连接;所述三极管Q5和所述三极管Q6的基极均与主电源开关控制信号SW_DC电连接,所述三极管Q5和所述三极管Q6的发射极均与GND电连接;所述主电源开关控制信号SW_DC连接上拉电阻R11后与DC电源电连接;所述MOS管Q2的S极和G极之间连接电阻R2;所述MOS管Q2的S极输出电源输出正极Vout;所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均为P沟道MOSFET;所述三极管Q5和所述三极管Q6均为NPN型三极管;所述备用电源开关电路包括MOS管Q3和MOS管Q4;所述备用电源输入正极V2+与所述MOS管Q3的S极电连接,所述备用电源输入正极V2+串联电阻R3后与所述MOS管Q3的G极电连接;所述MOS管Q3的G极串联电阻R7后与三极管Q7的集电极电连接;所述MOS管Q3的D极与所述MOS管Q4的D极电连接;所述MOS管Q4的G极串联电阻R8后与三极管Q8的集电极电连接;所述三极管Q7和所述三极管Q8的基极均与备用电源开关控制信号SW_BAT电连接,所述三极管Q7和所述三极管Q8的发射极均与GND电连接;所述备用电源开关控制信号SW_BAT连接上拉电阻R12后与DC电源电连接;所述MOS管Q4的S极和G极之间连接电阻R4;所述MOS管Q4的S极输出电源输出正极Vout;所述MOS管Q3和所述MOS管Q4均为P沟道MOSFET;所述三极管Q7和所述三极管Q8均为NPN型三极管;所述电源切换死区延时电路包括电容C1和二极管D1;所述电容C1的负极与GND电连接,所述电容C1的正极并联所述二极管D1和电阻R9后与所述电源输出正极Vout电连接;所述二极管D1的正极与所述电容C1的正极电连接,所述二极管D1的负极与所述电源输出正极Vout电连接;所述电源切换触发电路包括取样电路和比较电路;所述取样电路输入端与所述主电源输入正极V1+电连接,所述取样电路输出端与所述比较电路电连接;所述比较电路设有两个输出端,所述两个输出端分别与所述主电源开关电路和所述备用电源开关电路的输入端电连接;所述取样电路包括电阻R13和电路网络;主电源输入正极V1+串联电阻R13和电路网络后与GND电连接; 电阻R13和电路网络之间的节点作为取样电路输出端与比较电路的输入端电连接;电路网络具体为电阻R14、电容C3、电容C4和二极管D2的并联网络;所述比较电路包括单片机IC1;所述取样电路的输出端与所述单片机IC1的一个IO口电连接;所述单片机IC1的另外两个IO口作为输出端,分别输出所述主电源开关控制信号SW_DC和所述备用电源开关控制信号SW_BAT。
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