[发明专利]一种高穿透高色纯显示屏用LED材料及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710803848.1 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN107452847A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 张迪明 申请(专利权)人: 宁波高新区斯汀环保科技有限公司
主分类号: H01L33/30 分类号: H01L33/30;H01L33/58
代理公司: 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 代理人: 李静
地址: 315040 浙江省宁波市高*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 穿透 高色纯 显示屏 led 材料 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高穿透高色纯显示屏用LED材料,该LED材料具体由LED芯片和滤波材料组成,其特征在于:其中滤波材料采用可透过波长600nm-620nm的滤波材料和钇铝石榴石吸光粉;LED芯片具体为以砷化镓为衬底,以镓铝铟磷半导体为芯体,两个电极分布在器件的表面和底部的N型电极,其中镓铝铟磷半导体芯体内按镓铝铟磷半导体总质量添加有1.3%的磷、0.8%的铟、0.2%的镓和1.1%的铝。

2.根据权利要求1所述高穿透高色纯显示屏用LED材料的制造方法,其特征在于包括以下步骤:

1)滤波材料的制备

①准备可通过波长为600nm-620nm光波的光栅及光滤波器;

②准备钇铝石榴石吸光粉;

③准备透光率不低于98%的透光材料;

④将步骤②准备的钇铝石榴石吸光粉喷涂在步骤③获得的透光材料上,留出与LED发光组形状相适应的空白处不喷涂;

⑤将步骤①准备的光栅及光滤波器设置在LED发光体与步骤④所述空白处连接的直线上,即获得所需滤波材料;

2)LED芯片制备

①准备镓铝铟磷半导体光电器件原料,并在原料中按质量比例添加1.3%的磷、0.8%的铟、0.2%的镓和1.1%的铝;

②准备80nm-150nm厚的砷化镓衬底;

③在砷化镓衬底上直接通过缓慢生长的方式制取镓铝铟磷半导体基LED芯体;

④在镓铝铟磷半导体基LED芯体上添加使电流可以纵向流动的N型电极,并使两个电极分别设置在芯体的上表面和底部;

⑤采用100℃-120℃稳定化处理20min-30min,即获得所需LED芯片;

3)LED材料最终成型

①将滤波材料和LED芯片组装起来,即获得所需高穿透高色纯显示屏用LED材料。

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