[发明专利]特高压直流换流阀二端口电路

权利要求书

1.一种特高压直流换流阀二端口电路，其特征在于，所述二端口电路由阀层电路和端口寄生电容组成，

所述阀层电路包括单阀层电路和多阀层电路；所述单阀层电路由串联的饱和电抗器部分和晶闸管级部分组成，其中，饱和电抗器部分由饱和电抗器的主电感Lm与饱和电抗器的铁耗等效电阻Rm组成，Lm与Rm并联连接；晶闸管级部分由晶闸管级阻容回路电阻R_d与晶闸管结电容C_thy组成，R_d与C_thy并联连接；分别将单阀层电路的饱和电抗器的主电感Lm、饱和电抗器的铁耗等效电阻Rm与晶闸管级阻容回路电阻R_d乘以阀层个数，将晶闸管结电容C_thy除以阀层个数，以构成多阀层电路；

所述端口寄生电容包括高压端阀层寄生电容C₁和非高压端阀层寄生电容C₂；

在所述二端口电路中，将第一阀层的单阀层电路与剩余阀层构成的多阀层电路串联，并将多阀层电路的一端接地，同时将高压端阀层寄生电容C₁并联到单阀层电路的两端，将非高压端阀层寄生电容C₂并联到多阀层电路的两端。

2.一种特高压直流换流阀二端口等效电路的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)在冲击电压的主频段范围内对饱和电抗器、晶闸管的阻抗特性进行分析，根据各参数所表现的对外阻抗不同对阀层电路进行简化，建立单阀层等效电路模型和多阀层等效电路模型；

步骤2)根据阀塔屏蔽罩各个导体之间的电位关系，在端子等效寄生电容提取方法的基础上利用迭代等效方法提取阀层端口等效寄生电容；

步骤3)将步骤1)建立的阀层等效电路模型和步骤2)提取的阀层端口等效寄生电容按照阀塔的实际电气连接状况进行连接，得到用于高压端阀层过电压分析的特高压直流换流阀二端口等效电路模型。

3.根据权利要求2所述的一种特高压直流换流阀二端口等效电路的建模方法，其特征在于，所述阀层等效电路模型的建立方法为，

对于单阀层等效电路模型，通过对换流阀内饱和电抗器、晶闸管，及饱和电抗器的等效电感、铁耗等效电阻所构成的电路，晶闸管的晶闸管等效电阻、晶闸管结电容所构成的电路进行阻抗频率特性分析，对饱和电抗器部分和晶闸管级部分分别进行简化，得到饱和电抗器简化等效电路模型和晶闸管级简化等效电路模型，将两者串联后即获得单阀层等效电路模型；

对于多阀层等效电路模型，将单阀层等效电路模型中的电阻值、电感值分别乘以阀层个数，将电容值除以阀层个数，即得到多阀层等效电路模型。