[发明专利]一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置在审
| 申请号： | 201710805331.6 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN109472169A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 简红;蒋信 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73;G11C11/16 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 物理不可克隆函数 参考位元 磁性隧道结 逻辑状态图 电阻 位元 初始化模块 比较模块 记录比较 生成模块 选择模块 成正比 预设 | ||
1.一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述方法包括：
将MRAM芯片初始化为低阻态或高阻态；
从MRAM芯片中选择任意一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
2.如权利要求1所述的MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，还包括：
从MRAM芯片中选取另一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数。
3.如权利要求1或2所述的MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，包括：
从MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元中选择一个磁性隧道结MTJ位元作为待比较的磁性隧道结MTJ位元；
打开与参考位元磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，以及与待比较的磁性隧道结MTJ位元连接的MOS开关管，将磁性隧道结MTJ位元和待比较的磁性隧道结MTJ位元连接到灵敏放大器的两个输入端；
根据灵敏放大器的输出生成待比较的磁性隧道结MTJ位元对应的逻辑状态；
依次遍历MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元，生成逻辑状态图。
4.如权利要求1所述的MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述物理不可克隆函数的激励为参考位元地址，所述物理不可克隆函数的响应为与该参考位元对应的逻辑状态图。
5.如权利要求4所述的MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述逻辑状态图包括每一个磁性隧道结MTJ位元的地址。
6.一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述装置包括：
初始化模块，用于将MRAM芯片初始化为低阻态或高阻态；
参考位元选择模块，用于从MRAM芯片中选择任意一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；
比较模块，用于依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，用于利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
7.如权利要求6所述的MRAM芯片的物理不可克隆函数生成装置，其特征在于，所述参考位元选择模块，还用于从MRAM芯片中选取另一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；则：
比较模块，还用于依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；
PUF生成模块，还用于利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数。
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