[发明专利]一种二极管芯片的酸洗工艺在审
| 申请号： | 201710805857.4 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107393813A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 曹建民 | 申请（专利权）人： | 如皋市下原科技创业服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 芯片 酸洗 工艺 | ||
1.一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、三次酸洗、双氧水与氨水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗的时间为110～120s，二次酸洗的时间为70～80s，三次酸洗的时间为50～60s，双氧水与氨水清洗是时间为2～3min，水超声清洗的时间为5～8min；所述一次酸洗的清洗液为HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的混合液，所述HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的体积比为9:9:12:4；所述二次酸洗的清洗液为H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液，所述H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的体积比为1:0.4:3:0.4；所述三次酸洗的清洗液为HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的混合液，所述HNO3、HF、CH3COOH和H2SO4的体积比为9:9:12:4；所述双氧水与氨水清洗的清洗液为NH3.H2O、H2O和H2O2的混合液，所述NH3.H2O、H2O和H2O2的体积比为2:1:5。
2.根据权利要求1所述的二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述H3PO4、H2O2、H2O和CH3COOH的混合液的配置为：先加入水，再加入双氧水，接着加入磷酸，最后加入冰醋酸。
3.根据权利要求1所述的二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述NH3.H2O、H2O和H2O2的混合液的配置为：先加入水，再加入双氧水，最后加入氨水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
