[发明专利]一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器，其特征在于：包括在同一衬底上生成的氧化物薄膜晶体管、氧化物电阻和电阻电极；所述氧化物薄膜晶体管的漏极、氧化物电阻、电阻电极在所述衬底上依次接触排布，且所述漏极、氧化物电阻、电阻电极均与衬底接触；所述氧化物薄膜晶体管的绝缘层和所述氧化物电阻的材质相同。

2.根据权利要求1所述一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述氧化物薄膜晶体管的源极(101)和漏极(103)在衬底(102)上间隔设置；有源层(106)沉积在所述源极(101)、漏极(103)和所述源极(101)与漏极(103)之间的衬底(102)上；所述氧化物薄膜晶体管的绝缘层(107)沉积在有源层(106)上，栅极(108)沉积在绝缘层(107)上。

3.根据权利要求1所述的一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器，其特征在于：有源层(206)沉积在衬底(202)上，所述氧化物薄膜晶体管的漏极(203)与源极(201)在有源层(206)上间隔设置，且漏极(203)还包括接触衬底(202)的延伸部分；绝缘层(207)沉积在漏极(203)、源极(201)和所述漏极(203)与源极(201)之间的有源层(206)上，栅极(208)沉积在绝缘层(207)上。

4.根据权利要求1所述的一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述氧化物薄膜晶体管的栅极(308)沉积在衬底(302)上，绝缘层(306)沉积在栅极(308)和栅极(308)周围的衬底(302)上；有源层(307)沉积在绝缘层(306)上，漏极(303)和源极(301)在有源层(307)上间隔设置，且漏极(303)还包括接触衬底(302)的延伸部分。

5.根据权利要求1所述的一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器，其特征在于：所述氧化物薄膜晶体管的栅极(408)沉积到衬底(402)上，绝缘层(406) 沉积在栅极(408)和栅极(408)周围的衬底(402)上；漏极(403)和源极(401)在绝缘层(406)上间隔设置，且漏极(403)还包括接触衬底(402)的延伸部分；有源层(407)沉积在漏极(403)、源极(401)和所述漏极(403)与源极(401)之间的绝缘层(406)上。

6.一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器制造方法，其特征在于：在同一衬底上生成由氧化物薄膜晶体管、氧化物电阻和电阻电极构成的反相器，且氧化物薄膜晶体管的漏极、氧化物电阻、电阻电极均与衬底接触；用同种物质同时构造所述氧化物薄膜晶体管的绝缘层和所述氧化物电阻。

7.根据权利要求6所述一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器制造方法，其特征在于：用射频溅射的方式在氧化物薄膜晶体管的有源层上沉积所述绝缘层，同时在所述衬底(102)上沉积所述氧化物电阻。

8.根据权利要求6所述一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器制造方法，其特征在于：用射频溅射的方式在源极(201)、漏极(203)和源极(201)与漏极(203)之间的有源层(206)上沉积所述绝缘层，同时在所述衬底(202)上沉积所述氧化物电阻。

9.根据权利要求6所述一种基于氧化物薄膜晶体管的反相器制造方法，其特征在于：用射频溅射的方式在氧化物薄膜晶体管的栅极(308)和栅极(308)周围的衬底(302)上沉积所述绝缘层(306)，同时在所述衬底(302)上沉积所述氧化物电阻。