[发明专利]一种p型双面电池核心的BIPV双面组件及其制作方法

权利要求书

1.一种p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，包括：上层玻璃、下层玻璃、设置于所述上层玻璃与所述下层玻璃之间的多个p型双面电池以及与所述p型双面电池连接的分体式接线盒；

所述p型双面电池从正面至背面方向依次包括：正面金属栅线电极、正面钝化减反层、n层、p型硅片、p+层、背面钝化层以及背面金属栅线电极；

所述正面钝化减反层为氮化硅钝化减反膜；

所述p型硅片的正面设有绒面；

所述背面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层，氧化铝和氮化硅依次层叠设置于所述p+层上；

所述背面金属栅线电极分别包括：H状栅极以及背电极，所述H状栅极包括主栅线以及副栅线，所述主栅线的宽度大于所述背电极的宽度并包裹所述背电极。

2.根据权利要求1所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为5～30nm，所述氮化硅层的厚度为60～130nm；所述正面钝化减反层的厚度为60～100nm。

3.根据权利要求2所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述主栅线的根数为3～15根，所述副栅线的根数为100～200根。

4.根据权利要求3所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，在所述p型硅片的正、反面分别设有重掺杂区和轻掺杂区，而所述正面金属栅线电极设置于所述p型硅片正面的重掺杂区，所述背面金属栅线电极设置于所述p型硅片背面的重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，其特征在于，所述重掺杂区为在所述p型硅片正面或反面开槽后掺杂后形成，该槽的截面呈V形或梯形。

6.一种p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-5任一项所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件，具体包括以下步骤：

1)对p型硅片进行抛光去损伤处理，去损量为3～15um；

2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；

3)链式清洗设备去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；

4)在步骤3)得到的p型硅片的正面制备纳米绒面；

5)在步骤4)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；

6)在步骤5)得到的p型硅片的背面制备背面钝化层；

7)在步骤6)得到的p型硅片的正面制备正面钝化减反层；

8)在步骤7)得到的p型硅片的背面进行激光开槽，开槽图形为平行等间距的线条，宽度为30～50um，线数为100～200根；

9)在步骤8)得到的p型硅片的背面印刷背面金属栅线电极，主栅线的宽度大于背电极的宽度并包裹背电极，主栅线根数为3～15根，副栅线与步骤7)中激光开槽处一一对齐，副栅线的宽度大于激光开槽的宽度，副栅线的宽度为60～300um；

10)在步骤9)得到的p型硅片正面印刷正面金属栅线电极；

11)对步骤10)得到的p型硅片进行抗LID处理；

12)对步骤11)得到的p型硅片进行串焊排版、层叠、层压、安装接线盒，制成双面发电的BIPV双面组件。

7.根据权利要求6所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，在所述步骤2)中，掺杂源为气态BBr3，掺杂方阻为30～80Ω/□。

8.根据权利要求7所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，在所述步骤4)中，采用RIE制绒工艺在所述步骤3)得到的p型硅片正面制备纳米绒面，使正面反射率降低至5％～15％。

9.根据权利要求8所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，在所述步骤5)中，采用离子注入的方式在所述步骤4)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，并退火制备pn结。

10.根据权利要求9所述的p型双面电池核心的BIPV双面组件的制作方法，其特征在于，在所述步骤5)中，离子注入条件为：7～13keV，剂量1.8～2.6e15，退火条件840～890℃，100％N₂气氛10～30min，25％O₂气氛5～10min，发射极电阻60～120Ω/□。