[发明专利]孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710809651.9 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107473260B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张明喆;揣明艳 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铜 室温 半导体材料 制备 方法 | ||
1.一种孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法，具体步骤如下：
1)配置气体和液体化学反应所需的原料：用去离子水与乙酸铜配置铜离子浓度为2～10mmol/L的乙酸铜溶液；用去离子水和乙酸铕配置铕的离子溶度为5～20mmol/L的乙酸铕溶液；用去离子水和聚乙烯吡咯烷酮配置浓度为100～200mmol/L的聚乙烯吡咯烷酮溶液；用上述的乙酸铜溶液与乙酸铕溶液配置乙酸铜与乙酸铕的混合溶液，将聚乙烯吡咯烷酮溶液逐滴加入处于搅拌条件下的乙酸铜与乙酸铕混合溶液中；待乙酸铜与乙酸铕以及聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液混合均匀后，向混合溶液中滴入NaOH溶液直至混合溶液的pH值达到7.0～7.5；使最终的混合溶液中的铜离子、铕离子以及聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为1：0.02～0.2：1.0～1.5；将最终的混合溶液倒入反应室内，所述的反应室是球口烧瓶，置于超声环境中，控制反应室外的水浴温度为25～30℃，
2)气体和液体化学反应制备孪晶氧化铜掺铕材料：在排除实验装置内的空气后，让H2S气体在氮气的携带下进入到实验装置中的球口烧瓶反应室内，调节氮气流量使H2S气体以10～20毫升/分钟的速度持续进入到反应室内并与反应室内的混合溶液进行充分的反应；反应结束后，对反应产物进行提取和清洗，清洗后的样品，放入烘箱中60℃烘干6小时；随后，对烘干后的样品进行800～950℃热处理2小时后得到孪晶氧化铜掺铕样品。
2.根据权利要求1所述的一种孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤1中，所配制的乙酸铜溶液中铜离子浓度为5mmol/L，乙酸铕溶液中铕离子溶度为10mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮溶液的浓度为120mmol/L，混合后，最终待反应溶液中的铜离子、铕离子以及聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为1：0.1：1.2。
3.根据权利要求1或2所述的一种孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法，其特征在于，在步骤2中，在氮气携带下，进入反应室的H2S气体的速度为18毫升/分钟；对烘干后的样品进行热处理的温度为820℃。
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