[发明专利]耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710809871.1 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN107698271B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 刘永胜;叶昉;陈乃齐;成来飞;李明星;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/584;C04B35/634;C04B35/632;C04B35/624;C04B38/00;C04B41/89;H01Q1/42
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 耐高温 高强 韧性 氮化 硅基透波 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料的制备方法,其特征在于:复合材料为多层交替BN/Si3N4基体,最内层为BN基体,中间层为交替BN/Si3N4基体,最外层为Si3N4基体;

所述制备方法的步骤如下:

步骤1、Si3N4晶须素坯的制备:将体积分数为20~50%的Si3N4晶须和1.5~2.5wt.%的分散剂聚丙烯酸胺溶于去离子水,加入PH值调节剂四甲基氢氧化铵调节浆料pH值为9~11;之后加入4~10wt.%的单体丙烯酰胺AM和0.2~1.0wt.%的交联剂亚甲基双丙烯酰胺MBAM后球磨24~36h,真空除泡10min;之后加入0.2~0.5wt.%的引发剂过硫酸铵APS和0.02~0.1wt.%的催化剂四甲基乙二胺TEMED,搅拌后浇注于模具中,成型制得Si3N4晶须素坯;

步骤2:将Si3N4晶须素坯在室温自然干燥12~36h,然后置于50~100℃烘箱中烘干;再置于马沸炉中,在400~700℃空烧排胶2~4h,获得Si3N4晶须预制体;

步骤3、界面的制备:将Si3N4晶须预制体置于沉积炉中,采用CVI法制备BN界面,界面厚度0.8~1.5μm;然后可将含BN界面的Si3N4晶须预制体置于高温炉中进行热处理,处理温度1300℃,处理时间2~6h;

步骤4、基体的制备:将步骤3得到含BN界面的Si3N4晶须预制体置于沉积炉中,采用CVI法制备多层交替BN/Si3N4基体,最内层为BN基体,中间层为交替BN/Si3N4基体,最外层为Si3N4基体。

2.根据权利要求1所述耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1Si3N4晶须预制体采用凝胶注模成型。

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