[发明专利]耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料及制备方法有效
申请号: | 201710809871.1 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107698271B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 刘永胜;叶昉;陈乃齐;成来飞;李明星;张立同 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/81 | 分类号: | C04B35/81;C04B35/584;C04B35/634;C04B35/632;C04B35/624;C04B38/00;C04B41/89;H01Q1/42 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐高温 高强 韧性 氮化 硅基透波 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料的制备方法,其特征在于:复合材料为多层交替BN/Si3N4基体,最内层为BN基体,中间层为交替BN/Si3N4基体,最外层为Si3N4基体;
所述制备方法的步骤如下:
步骤1、Si3N4晶须素坯的制备:将体积分数为20~50%的Si3N4晶须和1.5~2.5wt.%的分散剂聚丙烯酸胺溶于去离子水,加入PH值调节剂四甲基氢氧化铵调节浆料pH值为9~11;之后加入4~10wt.%的单体丙烯酰胺AM和0.2~1.0wt.%的交联剂亚甲基双丙烯酰胺MBAM后球磨24~36h,真空除泡10min;之后加入0.2~0.5wt.%的引发剂过硫酸铵APS和0.02~0.1wt.%的催化剂四甲基乙二胺TEMED,搅拌后浇注于模具中,成型制得Si3N4晶须素坯;
步骤2:将Si3N4晶须素坯在室温自然干燥12~36h,然后置于50~100℃烘箱中烘干;再置于马沸炉中,在400~700℃空烧排胶2~4h,获得Si3N4晶须预制体;
步骤3、界面的制备:将Si3N4晶须预制体置于沉积炉中,采用CVI法制备BN界面,界面厚度0.8~1.5μm;然后可将含BN界面的Si3N4晶须预制体置于高温炉中进行热处理,处理温度1300℃,处理时间2~6h;
步骤4、基体的制备:将步骤3得到含BN界面的Si3N4晶须预制体置于沉积炉中,采用CVI法制备多层交替BN/Si3N4基体,最内层为BN基体,中间层为交替BN/Si3N4基体,最外层为Si3N4基体。
2.根据权利要求1所述耐高温高强韧性氮化硅基透波复合材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1Si3N4晶须预制体采用凝胶注模成型。
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