[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

经由第一栅绝缘膜形成在所述半导体衬底上方的非易失性存储器的存储器单元的第一栅电极；

经由第二栅绝缘膜形成在所述半导体衬底上方的所述非易失性存储器的所述存储器单元的第二栅电极，所述第二栅绝缘膜具有电荷积累部；以及

形成在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的第一绝缘膜，

其中，所述第二栅绝缘膜横跨在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间地形成，

其中，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，所述第一绝缘膜形成在所述第二栅绝缘膜和所述第二栅电极之间，

其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极经由所述第二栅绝缘膜和所述第一绝缘膜彼此相邻，

其中，所述第一绝缘膜未形成在所述第二栅电极之下，

其中，所述第一绝缘膜的下端面处于比所述第二栅电极的下表面的位置高的位置处，以及

其中，所述第二栅电极的一部分存在于所述第一绝缘膜的所述下端面之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二栅绝缘膜包括层叠膜，所述层叠膜具有第二绝缘膜、在所述第二绝缘膜上方的第三绝缘膜、以及在所述第三绝缘膜上方的第四绝缘膜，

其中，所述第三绝缘膜用作所述电荷积累部，以及

其中，所述第二绝缘膜以及所述第四绝缘膜的各带隙大于所述第三绝缘膜的带隙。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一绝缘膜包括第五绝缘膜和第六绝缘膜的层叠膜，

其中，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，在所述第五绝缘膜和第六绝缘膜中，所述第五绝缘膜位于所述第一栅电极侧，并且所述第六绝缘膜位于所述第二栅电极侧，以及

其中，所述第五绝缘膜和所述第六绝缘膜包括相互不同的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第四绝缘膜和所述第五绝缘膜包括相互不同的材料。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第二绝缘膜、所述第四绝缘膜以及所述第六绝缘膜每个都包括氧化硅，以及

其中，所述第三绝缘膜和所述第五绝缘膜每个都包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间插入的所述第二栅绝缘膜和所述第一绝缘膜的总厚度的第二厚度大于在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间插入的所述第二栅绝缘膜的第一厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述半导体衬底中形成的第一导电类型的第一半导体区和第二半导体区，

其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极形成在所述第一半导体区和所述第二半导体区之间的所述半导体衬底上方。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第一绝缘膜的所述下端面包括所述第五绝缘膜的第一下端面以及所述第六绝缘膜的第二下端面，以及

其中，所述第二栅电极的一部分存在于所述第一下端面以及所述第二下端面之下。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述第一下端面的在所述第二栅绝缘膜侧的第一端的高度位置高于所述第二栅电极的所述下表面的高度位置。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述第一下端面的在所述第六绝缘膜侧的第二端的高度位置等于或高于所述第二下端面的高度位置。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，

其中，所述第一下端面的在所述第二栅绝缘膜侧的第一端的高度位置高于所述第二栅电极的所述下表面的高度位置，并且低于所述第二下端面。