[发明专利]一种器件的后处理方法

权利要求书

1.一种器件的后处理方法，用于在器件上形成防护层，其特征在于，包括步骤：

S10、将所述器件在真空环境下进行偶联反应，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；

S20、在所述器件的表面上形成聚合物涂层。

2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，

将所述器件与不含水的偶联剂一同置于真空状态下的沉积腔中，使所述偶联剂因负压而气化，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；

或者，将不含水的偶联剂施加到所述器件的表面上，之后将所述器件置于真空状态下的沉积腔中，使所述偶联剂因负压而气化，在所述器件的表面上形成偶联剂分子的自限分子层；

优选地，将不含水的偶联剂以喷涂(优选为超声雾化法喷涂)、滴注、蘸涂或浸泡的方式施加到所述器件的表面上。

3.根据权利要求2所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，所述沉积腔中的气压为0-100Torr，温度为0-100℃；

和/或，步骤S10中，在所述器件的表面上形成的偶联剂分子的自限分子层的厚度小于1微米。

4.根据权利要求1-3之一所述的后处理方法，其特征在于，步骤S10中，采用的偶联剂包括硅烷偶联剂、有机铬络合偶联剂、钛酸酯偶联剂和/或铝酸化合偶联剂。

5.根据权利要求1-4之一所述的后处理方法，其特征在于，步骤S20中，将所述器件置于真空沉积室中，将聚合物原料裂解成气态单体，使所述气态单体进入所述真空沉积室，并在所述器件的表面沉积并聚合形成聚合物涂层。

6.根据权利要求5所述的后处理方法，其特征在于，步骤S20中，所述真空沉积室内的气压为0-100Torr，温度为0-100℃；

和/或，步骤S20中，所述聚合物涂层的厚度为微米级或纳米级。

7.根据权利要求5所述的后处理方法，其特征在于，步骤S20中，将聚合物原料裂解成气态单体的步骤为：

先将固态的聚合物原料加热升华成气态聚合物，然后通过高温裂解使所述气态聚合物裂解成气态单体。

优选地，步骤S20中，加热升华的条件为：气压为0-100Torr，温度为50-300℃；和/或，高温裂解的条件为：气压为0-100Torr，温度为300-900℃。

8.根据权利要求5-7之一所述的后处理方法，其特征在于，所述聚合物原料为聚对二甲苯二聚体、聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺、聚酰亚胺-酰胺、聚氨酯、聚硫脲、聚酯、和/或聚乙二醇。

9.根据权利要求1-8之一所述的后处理方法，其特征在于，所述器件包括植入式器件、传感器、执行器、电子元器件、化工设备零部件、航空航天零部件、核电零部件、或船舶设备零部件。

10.根据权利要求1-8之一所述的后处理方法，其特征在于，所述器件为具有可动结构的器件，优选为机械量传感器，更优选为压力传感器、加速度传感器、流量传感器、陀螺仪、麦克风、静电执行器、磁执行器、电热执行器、微泵、或压电执行器，进一步优选为植入式眼压传感器、植入式血压传感器、植入式颅内压传感器、植入式膀胱压传感器、植入式肠管压力传感器、植入式胸壁压力传感器、或植入式义齿压力传感器。