[发明专利]用于供应和接收以太网供电的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201710814051.1 申请日: 2013-04-17
公开(公告)号: CN107566132B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 庄明沛;黄狄恩 申请(专利权)人: 柏思科技有限公司
主分类号: H04L12/10 分类号: H04L12/10
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国香港九龙长沙湾青山道*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 用于 应和 接收 以太网 供电 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种在第一电源供应设备中执行的方法,所述第一电源供应设备包括至少一个第一功率供应电路、一个第二功率供应电路、一个第一功率接收电路和一个第二功率接收电路,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

a.通过所述第二功率接收电路从第二电源供应设备接收功率;

b.在确定第一通电装置能够接收以太网供电之后,使用所述第一功率供应电路将功率供应到所述第一通电装置;其中所述第一功率供应电路被包括在所述第一电源供应设备的PSE控制器中并且能够供应上至功率极限的功率;

c.确定使用所述第一功率接收电路或使用所述第二功率接收电路的其中一个从所述第二电源供应设备接收功率;

d.当确定使用所述第二功率接收电路时,通过所述第二功率接收电路从所述第二电源供应设备接收功率;

e.当确定使用所述第一功率接收电路时,通过所述第一功率接收电路从所述第二电源供应设备接收功率;其中所述第一功率接收电路能够接收到上至所述功率极限的功率;

f.确定继续使用所述第一功率供应电路或使用所述第二功率供应电路的其中一个将功率供应到所述第一通电装置;其中供应到所述第一通电装置的所述功率部分地基于第一指示;其中所述第二功率供应电路为HP-PSE开关并且能够供应大于所述功率极限的功率;以及

g.在确定所述第一通电装置能够接收大于所述功率极限的功率及所述第一电源供应设备能够供应大于所述功率极限的功率之后,使用所述第二功率供应电路而不是使用所述第一功率供应电路来供应功率;

其中所述PSE控制器并联于所述HP-PSE开关;以及

其中所述第一功率供应电路及所述第二功率供应电路是通过以太网接收供电。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述功率极限是IEEE 802.3at标准或IEEE802.3af标准设置的功率极限。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二功率接收电路能够接收到大于所述功率极限的功率。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一指示至少部分地基于以下项中的一个或多个:

(i)从所述第一通电装置接收第一消息;

(ii)将所述第一电源供应设备连接到所述第一通电装置的以太网链路的链路状态;以及

(iii)手动HP-PSE开关状态,其中所述手动HP-PSE开关状态通过旋钮、按钮、网页、用户界面、应用程序界面、控制台端口或显示模块来控制。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,进一步包括以下步骤:

h.从所述第一通电装置接收所述第一消息后,向所述第一通电装置发送第二消息,其中所述第二消息指示出所述第一电源供应设备能够提供大于所述功率极限的功率。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括以下步骤:

i.确定是否基于链路状态继续使用所述第二功率供应电路;和

j.如果所述链路状态不稳定,则关断HP-PSE开关以停止通过所述第二功率供应电路供应功率,并使用所述第一功率供应电路将功率供应到所述第一通电装置。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述HP-PSE开关为以下开关中的任意一项:场效晶体管(FET)、双极晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体FET(MOSFET)、金属半导体FET(MESFET)、结型FET(JFET),以及中继器。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第二功率接收电路包括以下开关中的任意一项:场效晶体管(FET)、双极晶体管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体FET(MOSFET)、金属半导体FET(MESFET)、结型FET(JFET),以及中继器。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中所述第一电源供应设备能够向多个通电装置供电;并且所述第一通电装置是在所述多个通电装置中。

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