[发明专利]一种丝网漏涂玻璃钝化模具及其工艺方法

说明书

本发明公开了一种丝网漏涂玻璃钝化模具，包括硅单晶片、不锈钢丝网网版、不锈钢刮刀，硅单晶片设有台面腐蚀槽，不锈钢丝网网版带有凸台及漏透区域，不锈钢丝网网版一侧设有凸台，漏透区域的排布、位置与形状尺寸完全与硅单晶片单面的台面腐蚀槽区域一致，凸台两侧相邻位置设有漏透区域，不锈钢刮刀一侧设有2‑5CM高刀刃，凸台凸出高度较硅单晶片台面腐蚀槽深度短3‑5微米，一种丝网漏涂玻璃钝化工艺方法，包括以下步骤：对版；上玻璃糊、刮涂；玻璃糊成型、脱网版；玻璃烧熔，本发明设置凸台防止过多的玻璃糊刮到玻璃槽中间无效位置。

技术领域

本发明涉及一种丝网漏涂玻璃钝化工艺方法，应用于半导体芯片制造及晶圆加工领域，特别应用于台面工艺器件的制作应用。

背景技术

玻璃钝化一般有刀刮法玻璃钝化、电泳法玻璃钝化，刀刮法玻璃钝化通过在硅单晶片表面利用刮刀将玻璃糊刮入玻璃槽内，然后通过高温玻璃烧结成型，操作方法较为简单，设备投资很少，但是硅单晶片片表面易出现不同程序的刮伤，硅单晶片表面需擦去除无效玻璃粉，台面腐蚀槽底部留有较厚无效玻璃粉，玻璃应力较大；电泳法玻璃钝化，通过电泳设备将硅单晶片台面腐蚀槽内吸附一定厚度的玻璃粉，然后通过高温玻璃烧结成型，硅单晶片台面腐蚀槽上沿接近表面位置保护很好，但是，硅片表面有突出玻璃粉，影响后续光刻工艺的制作，设备较为昂贵，台面腐蚀槽底部留有较厚无效玻璃粉，玻璃应力较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种丝网漏涂玻璃钝化模具及其工艺方法。

本发明采用的技术方案是：

一种丝网漏涂玻璃钝化模具，其特征在于：包括：硅单晶片、不锈钢丝网网版、不锈钢刮刀，所述硅单晶片设有台面腐蚀槽，所述不锈钢丝网网版带有凸台及漏透区域，所述不锈钢丝网网版一侧设有凸台，所述漏透区域的排布、位置与形状尺寸完全与硅单晶片单面的台面腐蚀槽区域一致，所述凸台两侧相邻位置设有漏透区域，所述不锈钢刮刀一侧设有2-5cm高刀刃。

所述凸台凸出高度较硅单晶片台面腐蚀槽深度短3-5微米。

所述硅单晶片为圆形，直径为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸，所述硅单晶片的厚度为150-500微米，所述硅单晶片一侧或两侧设有台面腐蚀槽，且台面腐蚀槽深度在50-150微米。

所述不锈钢丝网网版材质由不锈钢与尼龙网绞合而成。

所述不锈钢丝网网版漏透区域由间隔1-10微米单独不连续通孔构成。

一种丝网漏涂玻璃钝化模具的钝化工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1：对版：先将丝网网版带有凸台的一面与硅单晶片设有台面腐蚀槽的一面按图5的方式进行对版、重叠；

步骤2：上玻璃糊、刮涂：按图6的方式在在丝网网版上涂上适量的玻璃糊，将刮刀紧贴丝网网版正面按图6虚线箭头方向进行刮涂1-2次，玻璃糊配比为（重量比）： INK：GPP玻璃粉=1：（1.5-5），INK配比：乙基纤维素：丁基卡毕醇=（1.2-4）g：100ml；

步骤:3：玻璃糊成型、脱网版：硅单晶片热版加热预烘成型，将丝网网版垂直脱离硅单晶片，热版T=250±50℃，t=5-40s，玻璃糊成型，见图8示意；

步骤:4：玻璃烧熔：将硅单晶片进炉烧结，进炉T=650±15℃，升温时间t=10±8min，恒温T=715±15℃，t=15±10min，降温t=100±20 min，出炉T=450±15℃；