[发明专利]柔性闪烁屏、放射线图像传感器及其制备方法在审
申请号: | 201710815754.6 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN107742628A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 顾铁;杨华;金利波 | 申请(专利权)人: | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 215434 江苏省苏州市太*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 闪烁 放射线 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)提供一基板,且所述基板具有相对的第一表面和第二表面,并于所述第一表面上形成离型层;
2)于所述离型层表面形成柔性基底层;
3)于所述柔性基底层表面制备闪烁体层,所述闪烁体层用于将其接收的入射射线转换为可见光;
4)于所述闪烁体层表面以及所述闪烁体层周围的所述柔性基底层上形成覆盖所述闪烁体层的保护层;以及
5)剥离以去除所述离型层及与所述离型层相连的所述基板,获得柔性闪烁屏。
2.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤1)和步骤2)之间还包括:于所述离型层表面形成阻挡层,所述阻挡层位于所述离型层与所述柔性基底层之间。
3.根据权利要求2所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,所述阻挡层为氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅层和氮化硅层构成的叠层结构层中的一种。
4.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤1)中,所述基板包括玻璃基板,所述离型层包括非晶硅层。
5.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤2)中,通过涂覆及固化的工艺将所述柔性基底层制作于所述离型层上,其中,所述固化的温度为100~200℃,时间为60~120min。
6.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤2)中,所述柔性基底层包括聚酰亚胺薄膜、环氧树脂薄膜以及聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜中的一种;所述柔性基底层的光透过率为70%~100%,厚度为10~200μm。
7.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤3)中,通过热蒸镀的方式将所述闪烁体层制作于所述柔性基底层上。
8.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤3)中,所述闪烁体层的材料包括掺铊的碘化铯及掺钠的碘化铯中的一种;所述闪烁体层的厚度为200~800μm。
9.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤4)中,通过密封胶将所述保护层固定于所述柔性基底层上,其中,所述密封胶位于所述柔性基底层上且包围所述闪烁体层,所述保护层覆盖所述闪烁体层并通过所述密封胶与所述柔性基底层相连接。
10.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤4)中,所述保护层为防水反射层,所述防水反射层为无机薄膜或附着有反射膜的有机薄膜中的一种;所述保护层的厚度为50~200μm。
11.根据权利要求10所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,所述防水反射层为附着有反射膜的有机薄膜,所述反射膜为银膜及铝膜中的一种。
12.根据权利要求1所述的柔性闪烁屏的制备方法,其特征在于,步骤5)中,自所述基板的第二表面进行激光照射,并使所述激光照射至所述离型层与所述柔性基底层的界面,烧断所述界面处的结合键,以剥离所述离型层及与所述离型层相连接的所述基板,获得柔性闪烁屏。
13.一种放射线图像传感器的制备方法,其特征在于,包括步骤:
采用如权利要求1~12中任意一项所述的制备方法制备柔性闪烁屏,并于靠近所述柔性闪烁屏的柔性基底层的一侧形成与所述柔性闪烁屏相对应的传感器阵列,以得到放射线图像传感器,其中,所述传感器阵列用于将其接收的所述柔性闪烁屏产生的可见光信号转换为电信号。
14.根据权利要求13所述的放射线图像传感器的制备方法,其特征在于,通过光学透明胶将所述柔性闪烁屏与所述传感器阵列贴附,以实现所述柔性闪烁屏与所述传感器阵列的耦合。
15.一种柔性闪烁屏,其特征在于,包括:
柔性基底层;
闪烁体层,位于所述柔性基底层表面,用于将其接收的入射射线转化为可见光;
保护层,位于所述闪烁体层表面以及所述闪烁体层周围的所述柔性基底层上,且覆盖所述闪烁体层。
16.根据权利要求15所述的柔性闪烁屏,其特征在于,所述柔性闪烁屏还包括阻挡层,所述阻挡层位于所述柔性基底层远离所述闪烁体层一侧的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的