[发明专利]光罩有效
申请号: | 201710816146.7 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN107505811B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 安立扬;徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G02F1/1343;G02F1/13 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 | ||
1.一种光罩,用于制作阵列基板的公共电极,其特征在于,包括中心部分、第一部分以及第二部分,所述第一部分连接所述中心部分且沿第一方向延伸,所述第二部分连接所述中心部分且沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向交叉,所述第一部分与所述中心部分的交界处形成第一凹槽,所述第二部分与所述中心部分的交界处形成第二凹槽,所述第二凹槽连通所述第一凹槽以共同形成第一凹陷区,所述第一凹槽的形状与所述第二凹槽的形状相同且彼此对称设置,所述第一凹陷区呈直角尺形、方形或弧形;所述光罩还包括第三部分,所述第三部分连接所述中心部分且沿第三方向延伸,所述第三方向与所述第一方向相反,所述第二部分连接所述中心部分的交界处还形成第三凹槽,所述第三凹槽与所述第二凹槽相对设置,所述第三部分连接所述中心部分的交界处形成第四凹槽,所述第四凹槽连通所述第三凹槽以共同形成第二凹陷区;所述第一凹陷区和所述第二凹陷区相对于所述第二部分对称设置。
2.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述光罩还包括第四部分,所述第四部分连接所述中心部分且沿第四方向延伸,所述第四方向与所述第二方向相反,所述第三部分连接所述中心部分的交界处还形成第五凹槽,所述第五凹槽与所述第四凹槽相对设置,所述第一部分连接所述中心部分的交界处还形成第六凹槽,所述第六凹槽与所述第一凹槽相对设置,所述第四部分连接所述中心部分的交界处形成相对设置的第七凹槽和第八凹槽,所述第七凹槽连通所述第五凹槽以共同形成第三凹陷区,所述第八凹槽连通所述第六凹槽以形成第四凹陷区。
3.如权利要求1~2任一项所述的光罩,其特征在于,所述第一方向与所述第二方向之间形成60°~90°的夹角。
4.如权利要求3所述的光罩,其特征在于,所述第一方向垂直于所述第二方向。
5.如权利要求1或2所述的光罩,其特征在于,所述第三凹槽与所述第二凹槽的形状相同且彼此对称设置。
6.如权利要求1~2任一项所述的光罩,其特征在于,在所述第一方向的垂直方向上,所述第一凹槽的深度小于等于二分之一的所述第一部分的宽度。
7.如权利要求6所述的光罩,其特征在于,在所述第二方向的垂直方向上,所述第二凹槽的深度小于等于二分之一的所述第二部分的宽度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备