[发明专利]一种microLED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710816672.3 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107706273A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 白航空 | 申请（专利权）人： | 合肥惠科金扬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 microled 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种microLED外延结构，该外延结构包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层，所述多量子阱层包括GaN垒层和InxGa1-xN阱层，0<X<1；其特征在于：所述非掺杂GaN层或n型GaN接触层至少其中之一分为两段式结构，两段结构之间插入AlGaN应力释放层；当所述非掺杂GaN层分为两段式结构时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一非掺杂GaN层、AlGaN应力释放层、第二非掺杂GaN层；当所述n型GaN接触层分为两段式生长时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一n型GaN接触层、AlGaN应力释放层、第二n型GaN接触层。
2.根据权利要求1所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述第一非掺杂GaN层、第二非掺杂GaN层厚度比为(1-2):1。
3.根据权利要求2所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述第一非掺杂GaN层、第二非掺杂GaN层厚度比为1.5:1。
4.根据权利要求2或3所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述AlGaN应力释放层厚度与非掺杂GaN层厚度比为1：(20-30)。
5.根据权利要求1所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述第一n型GaN接触层、第二n型GaN接触层厚度比为1:(2-3)。
6.根据权利要求5所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述第一n型GaN接触层、第二n型GaN接触层厚度比为1:2.5。
7.根据权利要求5或6所述的一种microLED外延结构，其特征在于：所述AlGaN应力释放层厚度与非掺杂GaN层厚度比为1：(15-20)。
8.一种microLED外延结构制备方法，包括
步骤(1)：提供一衬底；
步骤(2)：在所述衬底上依次沉积低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层；
其中，非掺杂GaN层或n型GaN接触层至少其中之一分为两段式生长，两段之间插入AlGaN应力释放层，当非掺杂GaN层分为两段式生长时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一非掺杂GaN层、AlGaN应力释放层、第二非掺杂GaN层；当n型GaN接触层分为两段式生长时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一n型GaN接触层、AlGaN应力释放层、第二n型GaN接触层。
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