[发明专利]包括测试单元的显示设备

说明书

本发明涉及一种包括测试单元的显示设备。显示设备包括：连接到数据线的像素、连接到数据线的数据焊盘、以及第一测试区域。第一测试区域包括：传送测试控制信号的测试控制线、传送测试信号的测试信号线、以及连接到数据焊盘的第一开关。第一开关包括：连接到测试控制线的栅电极、与栅电极重叠的第一半导体层和第二半导体层、连接到第一半导体层和第二半导体层的源电极、以及与源电极间隔开并连接到第一半导体层和第二半导体层的漏电极。源电极和漏电极分别连接到测试信号线和数据焊盘。第一半导体层和第二半导体层中的一个包括氧化物半导体，第一半导体层和第二半导体层中的另一个包括硅基半导体。

相关申请的交叉引用

2016年9月12日提交的题为“包括测试单元的显示设备”的第10-2016-0117272号韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文所描述的一个或多个实施例涉及一种包括测试单元的显示设备。

背景技术

已经开发出各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光二极管显示器。这些显示设备可以包括用于对布线或像素是否存在缺陷进行测试的测试单元。测试单元可以位于非显示区域中。然而，非显示区域的尺寸已随着显示尺寸的增加而变小。

发明内容

根据一个或多个实施例，显示设备包括：基板；像素部分，位于基板上，并且包括连接到数据线的像素；数据焊盘，连接到数据线的一端；以及第一测试区域，包括用于传送测试控制信号的测试控制线、用于传送测试信号的测试信号线、以及连接到数据焊盘的第一开关，其中第一开关包括：栅电极，连接到测试控制线；第一半导体层和第二半导体层，与栅电极重叠；源电极，连接到第一半导体层和第二半导体层，源电极连接到测试信号线；以及漏电极，与源电极间隔开，并连接到第一半导体层和第二半导体层，漏电极连接到数据焊盘，其中第一半导体层和第二半导体层中的一个包括氧化物半导体，并且第一半导体层和第二半导体层中的另一个包括硅基半导体。

第一半导体层和第二半导体层可以彼此间隔开。第一半导体层可以至少部分地与第二半导体层重叠。显示设备可以包括：绝缘层，位于第一半导体层和第二半导体层之间。源电极和漏电极中的每一个穿过绝缘层中的接触孔被连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个。

栅电极可以位于第一半导体层和第二半导体层之间。硅基半导体可以包括晶体硅。氧化物半导体可以包括：氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(ZIO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟镓锌(IGZO)、或氧化铟锌锡(IZTO)中的至少一种。栅电极可以包括：第一栅电极和第二栅电极，彼此重叠并且彼此间隔开。第一栅电极和第二栅电极中的至少一个位于第一半导体层和第二半导体层之间。

第一半导体层和第二半导体层可以位于第一栅电极和第二栅电极之间。第一测试区域可以对电阻缺陷和短路缺陷进行检测。第一测试区域可以选择性地执行点亮测试和链路线测试。

显示设备可以包括：第二测试区域，包括与数据线的另一端相连接的第二开关。第二测试区域可以执行点亮测试。像素部分可以包括有机发光二极管。

显示设备可以包括：薄膜晶体管，连接到有机发光二极管，其中薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极以及漏电极，并且其中薄膜晶体管的源电极和漏电极与第一开关的源电极和漏电极大致位于同一层上。

薄膜晶体管的栅电极可以与第一开关的栅电极大致位于同一层上。薄膜晶体管的半导体层可以与第一开关的第一半导体层和第二半导体层中的一个大致位于同一层上。像素部分可以包括位于像素电极上的液晶层。

显示设备可以包括薄膜晶体管，连接到像素电极，其中薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极以及漏电极，并且其中薄膜晶体管的源电极和漏电极与第一开关的源电极和漏电极大致位于同一层上。薄膜晶体管的栅电极可以与第一开关的栅电极大致位于同一层上。薄膜晶体管的半导体层可以与第一开关的第一半导体层和第二半导体层中的一个大致位于同一层上。

附图说明