[发明专利]晶圆的返工方法在审
| 申请号： | 201710818552.7 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107634006A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 褚海波;郭万里 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 返工 方法 | ||
1.一种晶圆的返工方法，其特征在于，所述晶圆的返工方法包括：
提供待返工的晶圆，所述晶圆的表面形成有图形化的光刻胶层，所述晶圆的表面和/或所述图形化的光刻胶层的表面附着有杂质颗粒；
采用湿法刻蚀去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒。
2.如权利要求1所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述杂质颗粒包括金属杂质颗粒和有机物杂质颗粒。
3.如权利要求2所述的晶圆的返工方法，其特征在于，湿法刻蚀去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒采用的刻蚀液包括硫酸和双氧水的混合物。
4.如权利要求3所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述硫酸与所述双氧水的体积比在2：1-7：1之间，其中，所述硫酸的浓度在95％以上，所述双氧水的浓度在25％-35％之间。
5.如权利要求4所述的晶圆的返工方法，其特征在于，湿法去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒的温度在100度-150度之间。
6.如权利要求5所述的晶圆的返工方法，其特征在于，湿法去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒的时间在2min-25min之间。
7.如权利要求1所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述晶圆包括衬底和氧化层，所述氧化层覆盖所述衬底。
8.如权利要求1所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述氧化层的厚度在20埃-200埃之间。
9.如权利要求1所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述氧化层的材料包括氧化硅、碳化硅和碳氧化硅中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的晶圆的返工方法，其特征在于，所述采用湿法刻蚀去除所述图形化的光刻胶层及所述杂质颗粒之后，所述晶圆的返工方法还包括：
采用去离子水对所述晶圆进行清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
