[发明专利]使用引线框架的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种进行晶圆级封装的方法，包括:

a)制造第一晶圆，其上具有第一电路的重复阵列、且其第一表面上具有相应图案的电路触头；

b)由引线框架材料板材制造引线框架阵列；所述引线框架阵列具有引线框架和引线框架触头的重复图案，所述引线框架触头处于引线框架材料板材的第一表面上并用于电气连接到第一晶圆上的电路触头，从引线框架材料的第二表面蚀刻引线框架材料，以保留比蚀刻面积厚的一些区域，并且进而蚀刻完引线框架材料板材，以限定制薄区域和较厚区域的引线框架阵列；将引线框架阵列边缘固定在夹具上，夹具的热膨胀率和第一晶圆的热膨胀率相同，使得引线框架阵列适应引线框架阵列和第一晶圆的差异膨胀；

c)将引线框架阵列的第一表面上的引线框架触头电气连接到第一晶圆上的电路触头；

d)蚀刻引线框架阵列，以使引线框架触头发生分离；

e)将第一晶圆和作为引线框架阵列的制薄区域封装，其中至少作为引线框架阵列的较厚区域的第二表面暴露，以用于焊接至印刷电路板；

f)切割第一晶圆；

其中，将引线框架阵列上的引线框架触头电气连接到第一晶圆上的电路触头上的步骤包括，将引线框架阵列上的引线框架触头焊接到第一晶圆上的电路触头上，且当引线框架阵列为了焊接而被加热时其被限制膨胀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在e)中，其中至少作为引线框架阵列的较厚区域的第二表面暴露以用于焊接至印刷电路板的将第一晶圆和作为引线框架阵列的制薄区域封装的步骤包括封装第一晶圆和整个引线框架阵列，并进而研磨封装以暴露较厚区域的第二表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括，在d)和e)之间，封装第一晶圆和作为引线框架阵列的制薄区域，其中至少引线框架阵列的较厚区域的第二表面暴露，以用于焊接至印刷电路板。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：其中至少作为引线框架阵列的较厚区域的第二表面暴露以用于焊接至印刷电路板的将第一晶圆和作为引线框架阵列的制薄区域封装的步骤包括封装第一晶圆和整个引线框架阵列并进而研磨封装以暴露较厚区域的第二表面。

5.一种进行晶圆级封装的方法，包括:

a)制造第一晶圆，其上具有第一电路的重复阵列、且其第一表面上具有相应图案的电路触头；

b)由引线框架材料板材制造引线框架阵列；所述引线框架阵列具有引线框架和引线框架触头的重复图案，所述引线框架触头处于引线框架材料板材的第一表面上并用于电气连接到第一晶圆上的电路触头，从引线框架材料的第二表面蚀刻引线框架材料，以保留比蚀刻面积厚的一些区域，并且进而蚀刻完引线框架材料板材，以限定制薄区域和较厚区域的引线框架阵列；

c)将引线框架阵列附连到临时衬底，临时衬底的热膨胀率和第一晶圆的热膨胀率相匹配，使得引线框架阵列适应引线框架阵列和第一晶圆的差异膨胀，蚀刻引线框架阵列以使引线框架触头发生分离；

d)将引线框架阵列上的引线框架触头的第一表面电气连接到第一晶圆上的电路触头；

e)切割第一晶圆；

其中，将引线框架阵列上的引线框架触头电气连接到第一晶圆上的电路触头上的步骤包括，将引线框架阵列上的引线框架触头焊接到第一晶圆上的电路触头上，且当引线框架阵列为了焊接而被加热时其被限制膨胀。