[发明专利]接收差分信号的半导体装置和存储器控制器

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

差分信号相位检测器，被配置为：接收包括第一信号和第二信号的差分信号，检测第一信号与第二信号之间的相位，并根据检测的相位产生模式控制信号；

接收器，被配置为：接收所述差分信号，并基于模式控制信号，在差分模式下执行使用所述差分信号的处理操作，或在单模式下执行使用第一信号和参考电压的处理操作。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，使用所述差分信号的处理操作包括：与第一信号的上升沿和第二信号的下降沿的交汇点同步地产生时钟信号。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，差分信号相位检测器在第一信号和第二信号彼此基本同相时产生具有第一逻辑状态的模式控制信号，在第一信号和第二信号彼此基本反相时产生具有第二逻辑状态的模式控制信号。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，接收器响应于具有第一逻辑状态的模式控制信号在单模式下操作，并响应于具有第二逻辑状态的模式控制信号在差分模式下操作。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，差分信号相位检测器接收参考电压并使用第一信号和第二信号以及参考电压来检测所述差分信号的相位。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述差分信号是用于接收数据的差分数据选通信号；

第一信号和第二信号分别是第一数据选通信号和第二数据选通信号；

接收器在差分模式下使用第一数据选通信号和第二数据选通信号产生用于锁存数据的锁存控制信号，在单模式下使用第一数据选通信号和参考电压将锁存控制信号去激活，以防止错误的数据锁存。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置将数据读取命令提供给存储器装置并且在数据读取期之前具有空闲期和前置期；

接收器在空闲期的至少一部分中在单模式下操作。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，在前置期期间，接收器将它的操作模式从单模式改变到差分模式。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，差分信号相位检测器包括：

第一比较器，根据参考电压与具有预定电平的第一电压之间的电平差来驱动至少一个输出端；

第二比较器，根据第一信号与第二信号之间的电平差来驱动所述至少一个输出端，

模式控制信号具有根据驱动所述至少一个输出端的结果的逻辑状态。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，第一比较器包括：连接到第一输出端并接收参考电压的至少一个第一MOS晶体管，以及连接到第一输出端并接收第一电压的至少一个第二MOS晶体管；

第二比较器包括：连接到第二输出端并接收第一信号的至少一个第三MOS晶体管，以及连接到第二输出端并接收第二信号的至少一个第四MOS晶体管。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，第一电压具有地电压电平并且第一MOS晶体管至第四MOS晶体管中的每个为PMOS晶体管。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中，第一电压具有电源电压电平并且第一MOS晶体管至第四MOS晶体管中的每个为NMOS晶体管。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中，差分信号相位检测器包括：

第一相位检测器，检测第一信号的相位；

第二相位检测器，检测第二信号的相位；

模式控制信号产生器，使用第一相位检测器和第二相位检测器的检测结果产生模式控制信号。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其中，使用第一信号和参考电压的处理操作是数据传送被禁用的数据质量服务DQS清理操作。