[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

半导体基底，包括存储单元区以及周围区；

栅极结构，设置于该半导体基底上并位于该周围区，该栅极结构包括：

第一导电层；以及

栅极盖层，设置于该第一导电层上；

第一间隙壁结构，设置于该第一导电层的侧壁以及该栅极盖层的侧壁上；以及

栅极连接结构，包括：

第一部，贯穿该栅极盖层而与该第一导电层电连接；以及

第二部，与该第一部相连，其中该第二部设置于该栅极盖层的上表面上，且该第二部直接接触该栅极盖层的该上表面。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该栅极盖层的该上表面与该第一间隙壁结构的上表面共平面。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

源极/漏极区，设置于该半导体基底中并位于该栅极结构的一侧；

层间介电层，覆盖该源极/漏极区；以及

源极/漏极连接结构，包括：

第三部，贯穿该层间介电层而与该源极/漏极区电连接；以及

第四部，与该第三部相连，其中该第四部设置于该层间介电层的上表面上，且该第四部接触该层间介电层的该上表面。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中该层间介电层的该上表面与该栅极盖层的该上表面共平面。

5.如权利要求3所述的半导体存储装置，还包括：

接触蚀刻停止层，设置于该层间介电层与该源极/漏极区之间，其中该源极/漏极连接结构的该第三部还贯穿该接触蚀刻停止层。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该第一导电层包括第一非金属导电层以及第一金属导电层，且该第一金属导电层设置于该第一非金属导电层上。

7.如权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

位线结构，设置于该半导体基底上并位于该存储单元区，该位线结构包括：

第二导电层；以及

位线盖层，设置于该第二导电层上，其中该位线盖层的上表面与该栅极盖层的该上表面共平面。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，还包括：

第二间隙壁结构，设置于该第二导电层的侧壁以及该位线盖层的侧壁上，其中该位线盖层的该上表面与该第二间隙壁结构的上表面共平面。

9.如权利要求7所述的半导体存储装置，还包括：

位线连接结构，包括：

第五部，贯穿该位线盖层而与该第二导电层电连接；以及

第六部，与该第五部相连，其中该第六部设置于该位线盖层的该上表面上，且该第六部接触该位线盖层的该上表面。

10.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中该第二导电层包括第二非金属导电层以及第二金属导电层，且该第二金属导电层设置于该第二非金属导电层上。

11.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中该第二导电层的组成与该第一导电层的组成相同。