[发明专利]氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用

说明书

本发明公开氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用，所述氟代醇溶剂作为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团等有机分子的溶剂，配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用。与现有技术相比，本发明所述氟代醇溶剂用于加工制备钙钛矿光电器件具有以下优点：所述氟代醇溶剂是低毒溶剂；所述氟代醇溶剂能够有效地溶解电子和空穴传输材料，其作为溶剂加工电子和空穴传输材料在钙钛矿薄膜表面成膜时不会破坏钙钛矿的晶体结构。

技术领域

本发明涉及钙钛矿光电器件领域，尤其涉及氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用。

背景技术

目前，制备电子和空穴传输层时一般采用氯苯、邻二氯苯、氯仿等卤代溶剂进行加工，采用这些溶剂制备电子和空穴传输层时一个优势在于能有效地成膜，且在钙钛矿薄膜表面进行成膜时不会侵蚀钙钛矿薄膜从而避免钙钛矿结构的分解，但采用这些溶剂制备电子和空穴传输层时同时存在以下几个问题：

（1）、氯苯、邻二氯苯、氯仿等卤代溶剂是高毒溶剂，容易诱发溶剂中毒，通常需要在手套箱中进行相关的操作，防止溶剂泄露；

（2）、氯苯、邻二氯苯、氯仿等卤代溶剂不能有效地溶解如含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团等有机分子，从而限制了采用溶液法加工这些有机分子。

以上两个因素限制了氯苯、邻二氯苯、氯仿等卤代溶剂在钙钛矿光电器件上的应用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用，旨在解决现有制备电子和空穴传输层的溶剂要么存在侵蚀钙钛矿薄膜的问题，要么存在高毒性及不能有效溶解有机分子的问题。

氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用。

所述的应用，其中，所述氟代醇溶剂作为有机分子的溶剂，配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用。

所述的应用，其中，所述有机分子为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团中的一种或多种。

所述的应用，其中，所述氟代醇溶剂含有CF₃基团。

所述的应用，其中，所述氟代醇溶剂为1,1,1-三氟异丙醇、三氟乙醇、六氟异丙醇中的一种或多种。

所述的应用，其中，所述钙钛矿光电器件包括依次设置的阳极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层及阴极。

所述的应用，其中，所述钙钛矿光电器件还包括设置于所述阳极与所述空穴传输层之间的阳极修饰层。

所述的应用，其中，所述钙钛矿光电器件还包括设置于所述阴极与所述电子传输层之间的阴极修饰层。

所述的应用，其中，所述钙钛矿层的晶体结构为ABX₃，A₂BX₄，A₃B₂X₇，A₂BX₆中的一种或多种；其中A为有机阳离子，B为金属阳离子，X为卤族阴离子。

有益效果：与现有溶剂相比，本发明采用氟代醇溶剂制备钙钛矿光电器件具有以下优点：

（1）、所述氟代醇溶剂是低毒溶剂；

（2）、所述氟代醇溶剂能够有效地溶解电子和空穴传输材料，其作为所述电子和空穴传输材料的溶剂，在钙钛矿薄膜表面成膜时不会侵蚀钙钛矿薄膜从而避免钙钛矿结构的破坏。

附图说明

图1为本发明提供的正装结构的钙钛矿光电器件具体实施例的结构示意图。