[发明专利]基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法

权利要求书

1.一种基片表面陷光结构的制备装置，包括：

腐蚀槽，用于盛放腐蚀液及待腐蚀基片；

光源，用于发射催化光；

透光板，设置于所述腐蚀槽上方，具有周期性的孔隙，用于使所述催化光透过射入所述腐蚀槽；

所述基片的表面在所述催化光的作用下，由所述腐蚀液腐蚀得到所述陷光结构。

2.根据权利要求1所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述光源为面光源和/或点光源，其发射的催化光经由一匀光板透过所述透光板射入所述腐蚀槽；

优选地，所述催化光的光强不小于500W/cm²。

3.根据权利要求2所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述光源包括氙灯光源、卤钨灯光源、激光光源和/或发光二极管：

所述基片在所述腐蚀槽中的浸入深度与所述光源发射的催化光的波长相匹配。

4.根据权利要求3所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述光源为氙灯光源和/或卤钨灯光源；所述制备装置还包括置于所述透光板上方/下方的滤光片，以使波长与所述基片在所述腐蚀槽中的浸入深度相匹配的部分催化光滤过；和/或，

所述光源为光纤激光器或光纤激光器阵列，所述制备装置还包括固定于所述透光板孔隙的光纤保护筒，用于固定所述光纤激光器的光纤。

5.根据权利要求1所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述腐蚀槽包括链式槽体；

所述基片置于所述链式槽体的至少两个内部滚轮的上表面，以通过所述内部滚轮带动所述基片水平运动。

6.根据权利要求1所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述透光板的上表面覆盖有导热材料，用于带走光束照射带来的热量；和/或，

所述透光板的孔隙宽度大于2μm，相邻两孔隙之间的间隔大于2μm；和/或，

所述基片表面陷光结构的制备装置还包括：固定于所述透光板的孔隙处的微透镜，用于对所述催化光聚焦。

7.根据权利要求1所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述腐蚀液为酸性腐蚀液，该腐蚀液包括硝酸、氢氟酸、盐酸、硫酸、双氧水和水；所述腐蚀液腐蚀得到陷光结构的腐蚀温度为0℃-60℃，腐蚀时间为0.5min-60min。

8.一种基片表面陷光结构的制备装置，用于得到反射率R介于10％-25％的基片，包括：

权利要求1至7中任一项所述的基片表面陷光结构的制备装置；

酸性修饰槽，用于盛放酸性修饰液，以对形成有陷光结构的基片进行表面修饰；

碱性修饰槽，用于盛放碱性修饰液，以对形成有陷光结构的基片进一步进行表面修饰。

9.根据权利要求8任一项所述的基片表面陷光结构的制备装置，其中：

所述酸性修饰液包括硝酸、氢氟酸、化学添加剂和水；所述硝酸的浓度为1％-30％，所述氢氟酸的浓度为5％-20％；其腐蚀修饰温度为0℃-50℃，腐蚀修饰时间为0.5min-30min；

所述碱性修饰液包括碱液、化学添加剂和水，所述碱液包括NaOH溶液、和/或kOH溶液、和/或四甲基氢氧化铵溶液；所述碱液的浓度为0.1％-10％；其腐蚀修饰温度为0℃-80℃，腐蚀修饰时间为0.1min-20min。

10.一种基片表面陷光结构的制备方法，采用权利要求8-9中任一项所述的基片表面陷光结构的制备装置，包括以下步骤：

步骤1、光源发射催化光，该催化光透过透光板的孔隙射入所述腐蚀槽；

步骤2、腐蚀槽中的腐蚀液，在所述催化光的作用下，腐蚀置于所述腐蚀槽中的基片，在所述基片表面形成陷光结构；

步骤3、机械臂配合插片机将所述表面形成陷光结构的基片移至酸性修饰槽中，其中的酸性修饰液对所述陷光结构的表面进行修饰；

步骤4、机械臂配合插片机将所述表面形成陷光结构的基片自所述酸性修饰槽移至碱性修饰槽中，其中的碱性修饰液对所述陷光结构的表面进一步修饰；

重复上述步骤3-4，直至所述基片的反射率R介于10％-25％之间，完成所述基片表面陷光结构的制备。