[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

氮化物半导体层；

绝缘栅极部，设置于所述氮化物半导体层的一方的主面上的一部分；及

异质接合区域，设置于所述氮化物半导体层的所述主面上的另外的一部分，

所述氮化物半导体层具有：

N型的纵型漂移区域，向所述主面露出；

P型的沟道区域，与所述纵型漂移区域相邻，并向所述主面露出；及

N型的源极区域，被所述沟道区域从所述纵型漂移区域隔开，并向所述主面露出，

所述绝缘栅极部与将所述纵型漂移区域和所述源极区域隔开的所述沟道区域对向，

所述异质接合区域与所述纵型漂移区域向所述主面露出的范围的至少一部分接触，并且未设置在所述绝缘栅极部与所述沟道区域之间，是具有比所述纵型漂移区域的带隙宽的带隙的N型或I型的氮化物半导体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述异质接合区域与所述纵型漂移区域向所述氮化物半导体层的所述主面露出的整个范围接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

还具备表面覆盖区域，该表面覆盖区域是设置在所述异质接合区域上的P型的氮化物半导体，

所述表面覆盖区域与所述绝缘栅极部的栅电极电连接。

4.一种半导体装置的制造方法，包括：

异质接合层的形成工序，在N型的氮化物半导体层的一方的主面上形成异质接合层，该异质接合层是具有比所述氮化物半导体层的带隙宽的带隙的N型或I型的氮化物半导体；

蚀刻工序，对所述异质接合层的一部分进行蚀刻，形成与所述氮化物半导体层进行异质接合的异质接合区域，并在与所述异质接合区域相邻的位置使所述氮化物半导体层的所述主面露出；

沟道区域形成工序，朝向通过所述蚀刻工序而露出的所述主面照射P型的杂质，形成向所述主面露出的沟道区域；

源极区域形成工序，朝向在所述沟道区域内向所述主面露出的所述氮化物半导体层的一部分照射N型的杂质，形成向所述主面露出的源极区域；及

绝缘栅极部形成工序，在所述氮化物半导体层的所述主面上形成绝缘栅极部，该绝缘栅极部与将所述异质接合区域和所述源极区域隔开的所述沟道区域对向。