[发明专利]适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器

权利要求书

1.一种适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，包括：

N级级联的可变增益放大电路，其中N为大于1的奇数；

在相邻的两级所述可变增益放大电路的输出端之间分别跨接有可变电阻，用于实现所述放大器的增益调谐。

2.根据权利要求1所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述放大电路为一个NMOS管，所述放大器的增益由Gm*R决定，其中Gm为所述NMOS管的跨导，R为所述可变电阻的电阻值。

3.根据权利要求2所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，NMOS晶体管MN1、MN2、MN3的源极分别接地，所述MN1的栅极连接输入端AMP_IN,漏极分别连接电流源Is1的正极、所述MN2的栅极和可变电阻R1的一端；所述MN2的漏极分别连接电流源Is2的正极、所述MN3的栅极、所述可变电阻R1另一端和可变电阻R2的一端；所述MN3的漏极分别连接电流源Is3的正极、所述可变电阻R2的另一端和输出端AMP_OUT。

4.根据权利要求2所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述可变电阻的取值通过下列公式推导计算：

A0＝-gm_MN1*(R1-1/gm_MN2)*gm_MN3*(R2-1/gm_MN3)；

其中，其中A0为运放A(s)的直流增益，其中gm_MN1、gm_MN2、gm_MN3分别为MOS管MN1、MN2、MN3的跨导，R1、R2为跨接电阻R1、R2的阻值。

5.根据权利要求1所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述放大电路是PMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述放大电路是运算放大器。

7.根据权利要求1-6所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述放大器的输入端与所述放大器的输出端之间设置有跨接电阻。

8.根据权利要求1-6所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，N＝3。

9.根据权利要求5所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，各所述PMOS晶体管的漏极接地，源极分别连接一个电流源和下一级PMOS晶体管的栅极，并在相邻的两级所述PMOS晶体管的输出端之间分别跨接有可变电阻。

10.根据权利要求1-6所述的适用于低噪声、宽动态范围的高带宽跨阻放大器，其特征在于，所述可变电阻是由电阻和MOS晶体管连接而成的结构。