[发明专利]一种WOLED器件及其制作方法在审
申请号: | 201710823756.X | 申请日: | 2017-09-13 |
公开(公告)号: | CN107425131A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 胡春静;卜斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 woled 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种白光有机发光二极管WOLED器件,其特征在于,包括:基板和设置在在所述基板上的发光单元,所述发光单元包括阳极、设置于所述阳极上方的第一发光层以及设置于所述第一发光层上方的电荷生成层,相邻两个所述发光单元的阳极通过像素界定层隔开,相邻两个所述发光单元的第一发光层和电荷生成层通过设置在所述像素界定层上的绝缘件断开。
2.根据权利要求1所述的WOLED器件,其特征在于,所述绝缘件为倒梯形绝缘件。
3.根据权利要求2所述的WOLED器件,其特征在于,所述发光单元还包括设置在所述电荷生成层上方的第二发光层、设置在所述第二发光层上方的第三发光层、设置在所述第三发光层上方的阴极,各所述阴极均相连。
4.根据权利要求3所述的WOLED器件,其特征在于,所述第一发光层、所述电荷生成层、所述第二发光层、所述第三发光层和所述阴极的厚度之和大于所述绝缘件的厚度,且所述第一发光层和所述电荷生成层的厚度之和小于所述绝缘件的厚度。
5.根据权利要求3所述的WOLED器件,其特征在于,相邻两个所述发光单元的第二发光层通过设置在所述像素界定层上的绝缘件断开;或,各所述发光单元的第二发光层一体成型。
6.根据权利要求3所述的WOLED器件,其特征在于,每个所述发光单元还包括设置在所述阳极与所述第一发光层之间的第一空穴注入层、设置在所述第一空穴注入层与所述第一发光层之间的第一空穴传输层、设置在所述电荷生成层与所述第二发光层之间的第二空穴注入层,以及设置在所述第二空穴注入层与所述第二发光层之间的第二空穴传输层;
其中,相邻两个所述发光单元的第一空穴注入层和第一空穴传输层通过设置在所述像素界定层上的绝缘件断开;
相邻两个所述发光单元的第二空穴注入层和第二空穴传输层均通过设置在所述像素界定层上的绝缘件断开,或,各所述发光单元的第二空穴注入层一体成型,各所述发光单元的第二空穴传输层一体成型。
7.根据权利要求1所述的WOLED器件,其特征在于,所述绝缘件与所述像素界定层的材质均为光聚合型感光树脂或光复合型感光树脂。
8.一种WOLED器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成多个阳极;
形成像素界定层,所述像素界定层将相邻的两个所述阳极隔开;
在所述像素界定层背离所述基板的一面形成绝缘件;
在多个所述阳极上沉积第一发光层,任一所述阳极对应的第一发光层,与该阳极相邻的所述阳极对应的第一发光层通过所述绝缘件断开;
在所述第一发光层上沉积电荷生成层,任一所述阳极对应的电荷生成层,与该阳极相邻的所述阳极对应的电荷生成层通过所述绝缘件断开。
9.根据权利要求8所述的WOLED器件的制作方法,其特征在于,所述绝缘件为倒梯形绝缘件。
10.根据权利要求9所述的WOLED器件的制作方法,其特征在于,在所述第一发光层上沉积电荷生成层之后,所述WOLED器件的制作方法还包括:
在所述电荷生成层上沉积第二发光层;
在所述第二发光层上沉积第三发光层;
在所述第三发光层上沉积阴极,各所述阳极对应的阴极均相连。
11.根据权利要求10所述的WOLED器件的制作方法,其特征在于,沉积形成的所述第一发光层、所述电荷生成层、所述第二发光层、所述第三发光层和所述阴极的厚度之和大于形成的所述绝缘件的厚度,且所述第一发光层和所述电荷生成层的厚度之和小于所述绝缘件的厚度。
12.根据权利要求10所述的WOLED器件的制作方法,其特征在于,任一所述阳极对应的第二发光层,与该阳极相邻的所述阳极对应的第二发光层通过所述绝缘件断开,或,各所述阳极对应的第二发光层一体成型。
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