[发明专利]干刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710824129.8 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107634007B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘清召;王久石;赵磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：
利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；
利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层中刻蚀掉所述第一预设厚度后产生的刻蚀残留；
待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，使所述第三预设厚度小于所述第一预设厚度，所述第三预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的10％-30％；
其中，所述第一气体包括氯气，所述第二气体包括氟化物气体，且所述第一气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率大于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率，所述第二气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率小于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述第一预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的55％-75％；
所述第二预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的10％-30％。
3.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述第一气体还包括六氟化硫气体，所述第一气体中六氟化硫气体和氯气的质量比例为1：30-1：20。
4.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述第二气体还包括氧气，所述第二气体中氧气和氟化物气体的质量比例为：1：500-1：1.5。
5.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述氟化物气体为六氟化硫气体或四氟化碳气体。
6.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述干刻蚀方法的干刻温度为20-30摄氏度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述干刻蚀方法中的任意刻蚀气体的气体压力范围均为30-50毫托。
8.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层上的刻蚀残留，还包括，对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度的过刻量为额定刻量的10％至20％。
9.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，
所述待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，还包括：对所述含硅薄膜刻蚀第三预设厚度的过刻量为15％至20％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
