[发明专利]形成欧姆接触的方法以及半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供了一种形成欧姆接触的方法，在形成具有热稳定性的金属硅化物层后，再去除所述阻挡层和所述金属层，以暴露出所述金属硅化物层，采用大于等于第一预设温度的去离子水对所述晶圆进行第一次清洗，以将所述氧化物颗粒分解成小颗粒，再采用小于等于第二预设温度的去离子水对所述晶圆进行第二次清洗，所述第二次清洗的去离子水流量大于50L/min，水流的冲击力大，可将氧化物颗粒去除，利用不同温度、不同流量的水流对所述晶圆进行两次冲洗，具有更好的清洗效果，可以达到除去所述金属硅化物层上的氧化物颗粒的效果，有效的减少了所述金属硅化物层上的氧化物颗粒，使所述欧姆接触面变平滑，提高了器件的可靠性和良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成欧姆接触的方法以及半导体器件的制作方法。

背景技术

欧姆接触作为半导体制造中的一种关键工艺技术，它的目的是使得半导体材料施加电压时接触处的压降足够小以至于不影响器件的性能。如果欧姆接触电阻的可靠性差，会使得器件的开态电阻升高，严重时会影响器件的性能。

现有的芯片设计中，欧姆接触通常使用特殊的难熔金属，在硅的表面作为接触以减小电阻、增强附着。但后续工艺中形成的欧姆接触面很粗糙，所以欧姆接触电阻高，甚至失效，以至于形成的器件可靠性和良率都较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种形成欧姆接触的方法以及半导体器件的制作方法，以解决现有技术中形成的欧姆接触面粗糙、欧姆接触电阻高和器件良率低等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种形成欧姆接触的方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆包括一衬底以及依次形成于所述衬底预定区域上的金属层和阻挡层；

对所述晶圆进行快速热退火处理，以在所述衬底与所述金属层的界面处形成金属硅化物层；

去除所述阻挡层和所述金属层，以暴露出所述金属硅化物层，所述金属硅化物层上附着有氧化物颗粒；

采用大于等于第一预设温度的去离子水对所述晶圆进行第一次清洗，所述第一次清洗的流量小于等于35L/min；以及

采用小于等于第二预设温度的去离子水对所述晶圆进行第二次清洗，所述第二次清洗的流量大于等于50L/min，所述第二预设温度小于所述第一预设温度。

可选的，对所述晶圆进行第一次清洗时，清洗时间为400s-600s，流量为25L/min-35L/min。

可选的，对所述晶圆进行第二次清洗时，清洗时间为200s-400s，流量为55L/min-65L/min。

可选的，所述第一预设温度为70摄氏度，所述第二预设温度为25摄氏度。

可选的，所述金属层的材料包括钴、钛和镍中的一种或多种，所述阻挡层的材料为氮化钛或钛钨合金。

可选的，对所述晶圆进行快速热退火处理的温度为600摄氏度-800摄氏度。

可选的，采用湿法刻蚀工艺去除所述阻挡层和所述金属层。

可选的，湿法刻蚀去除所述阻挡层和所述金属层采用的刻蚀液包括硫酸、双氧水和氨水。

可选的，采用低压化学气相沉积或金属有机物沉积的方法形成所述金属层和所述阻挡层。

本发明还提供了一种半导体器件的制作方法，采用所述形成欧姆接触的方法。