[发明专利]一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法

权利要求书

1.一种微型非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：包括：硅衬底(1)、线圈、包裹非晶丝两端的铜(5)、非晶丝(6)、非晶丝两端引线(7)、微结构线圈两端引线(8)；

连接关系：在硅衬底(1)上固定安装线圈和包裹非晶丝两端的铜(5)；非晶丝(6)固定在包裹非晶丝两端的铜(5)内，并悬空放置在线圈中间；所述线圈等间距分布，且线圈与非晶丝(6)形成夹角；包裹非晶丝两端的铜(5)的顶端侧壁上带有非晶丝两端引线(7)；靠近包裹非晶丝两端的铜(5)的线圈顶端侧壁上带有微结构线圈两端引线(8)。

2.如权利要求1所述的一种微型非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：还包括负光刻胶(9)，负光刻胶(9)涂在硅衬底(1)上部将所有部件包裹其中，需保证线圈顶面、包裹非晶丝两端的铜(5)的顶面、非晶丝两端引线(7)和微结构线圈两端引线(8)裸露在外。

3.如权利要求1或2所述的一种微型非晶丝GMI磁传感器，其特征在于：所述线圈的数量至少为两个。

4.制备如权利要求1或2所述的一种微型非晶丝GMI磁传感器的方法，其特征在于：方法一：一种微型非晶丝GMI磁传感器的加工方法，具体步骤如下：

步骤一、清洗处理硅衬底(1)；

步骤二、在硅衬底正面采用磁控溅射的方法溅射Cr/Cu种子层；

步骤三、依次进行旋涂正光刻胶、烘胶、曝光、显影3min，形成线圈底层导线凹槽；

步骤四、将铜电镀在凹槽处形成线圈的微结构线圈底层导线(2)；

步骤五、用丙酮去掉正光刻胶，露出种子层；

步骤六、在底层导线上方横置非晶丝(6)并将其固定；

步骤七、在非晶丝(6)两端电镀铜(5),使非晶丝两端与硅衬底上的Cr/Cu种子层连接并将非晶丝引线覆盖在内；

步骤八、涂一层较厚的正光刻胶，烘胶、曝光、显影，形成微电感柱子深槽；

步骤九、将铜电镀在微电感柱子深槽处形成线圈的微结构线圈柱子(3)；

步骤十、丙酮去掉正光刻胶，刻蚀种子层；

步骤十一、旋涂负光刻胶(9)，并对光刻胶(9)减薄、抛光至露出微结构线圈柱子(3)；

步骤十二、在负光刻胶(9)上溅射一层Cr/Cu种子层，并旋涂正光刻胶、烘胶、曝光、显影，得到顶层导线凹槽；

步骤十三、将铜电镀在顶层导线凹槽处形成线圈的微结构线圈顶层导线(4)；

步骤十四、丙酮去掉正光刻胶，刻蚀种子层，即得到微型非晶丝GMI磁传感器。

5.制备如权利要求1或2所述的一种微型非晶丝GMI磁传感器的方法，其特征在于：方法二：一种微型非晶丝GMI磁传感器的加工方法，具体步骤如下：

步骤一、清洗处理硅衬底(1)；

步骤二、在硅衬底正面采用磁控溅射的方法溅射Cr/Cu种子层；

步骤三、依次进行旋涂正光刻胶、烘胶、曝光、显影3min，形成底层导线凹槽；

步骤四、将铜电镀在凹槽处形成线圈的微结构线圈底层导线(2)；

步骤五、用丙酮去掉正光刻胶，露出种子层；

步骤六、在底层导线上方横置非晶丝(6)并将其固定；

步骤七、在非晶丝(6)两端电镀铜(5),使非晶丝两端与硅衬底上的Cr/Cu种子层连接并将非晶丝引线覆盖在内；

步骤八、涂一层较厚的正光刻胶、烘胶、曝光、显影，形成微电感柱子深槽；

步骤九、将铜电镀在微电感柱子深槽处形成线圈的微结构线圈柱子(3)；

步骤十、对正光刻胶表面抛光至露出微结构线圈柱子(3)，并溅射一层Cr/Cu种子层，再旋涂正光刻胶、烘胶、曝光、显影，得到顶层导线凹槽；

步骤十一、将铜电镀在顶层导线凹槽处形成线圈的微结构线圈顶层导线(4)；

步骤十二、丙酮去掉上层正光刻胶，刻蚀种子层；

步骤十三、丙酮去掉下层正光刻胶，刻蚀种子层，即得到微型非晶丝GMI磁传感器。