[发明专利]一种黑硅MWT背接触电池的制备方法

权利要求书

1.一种黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、对多晶硅硅片表面进行去损伤层处理；

S2、在硅片表面需要开孔的位置印刷金属浆料；

S3、将带金属浆料的硅片进行黑硅制绒，带有金属浆料的硅片表面被穿孔，没有金属浆料的硅片表面制备为黑硅纳米陷光结构，黑硅制绒方法使用金属离子辅助刻蚀法；

S4、将制备好的带有穿孔的黑硅硅片进行扩散，形成PN结；

S5、再依次进行镀膜、印刷、烧结、激光划线隔离工艺；

金属浆料由纳米银颗粒、树脂、有机溶剂及其它组成；按照质量百分比，纳米银颗粒为5%~30%、树脂为40%~60%、有机物载体为10%~40%，其它为0%~15%；所述有机物载体按重量百分比分为乙基纤维素1~20%，丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚中任一种或组合30~50%、萜品醇30~69%；

所述步骤S3中金属离子辅助刻蚀法具体为：（1）将带有金属浆料的多晶硅硅片置于HF、H₂O₂、AgNO₃、Cu(NO₃)₂ 及DI纯水的混合溶液中，其中HF体积百分比浓度为 0.3%~5%、H₂O₂ 体积百分比浓度为0%~4%、固体AgNO₃物质的量浓度为0.01mol/L~2mol/L、固体Cu(NO₃)₂物质的量浓度为0mol/L~3mol/L，余量为DI纯水，带有金属浆料的多晶硅硅片在此混合溶液中进行初步腐蚀，反应温度为10℃~30℃，反应时间为10~300s；（2）再将初步腐蚀后的多晶硅硅片置于按照体积百分比浓度且包括2%~8%HF、1%~5%H₂O₂、0.1%~3%异丙醇、84%~96.9%DI纯水的混合溶液中进行深度腐蚀，反应温度为10℃~60℃，反应时间为30s~500s，带有金属浆料的区域形成穿孔，未带有金属浆料的区域形成纳米绒面，即黑硅硅片；（3）将步骤（2）得到的黑硅硅片置于清洗液中浸洗，浸洗温度为8℃~70℃，浸洗时间为60s~500s，清洗液的成分及体积百分比浓度为：H₂O₂ 2%~6%、NH₄OH 1%~5%、DI纯水89%~97%；（4）将清洗后的黑硅硅片置于体积分数0.1~3%的KOH水溶液中扩孔，反应温度为15℃~35℃，反应时间为10s~80s；（5）将扩孔后的黑硅硅片同样再置于步骤（3）中的同样配方的清洗液中清洗；（6）将清洗后的硅片再置于纯水及体积分数2%~10%的HF溶液中清洗，烘干，得到带有穿孔的黑硅硅片。

2.根据权利要求1所述的黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于：所述树脂为饱和丙烯酸酯、高分子量环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、酚醛树脂、饱和聚酯、聚醋酸乙烯酯、聚醋酸乙烯醇的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于：所述其他为松油醇、松节油、蓖麻醇的一种或几种。

4.据权利要求2中所述的黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于：穿孔孔径为2~5mm。

5.根据权利要求2中所述的黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于：黑硅硅片的非穿孔区域的多晶硅硅片表面的结构为均匀分布的蜂巢状结构或倒金字塔结构；蜂巢状结构均为多边形开口结构，沿多边形开口的每个面均向多晶硅硅片内部倾斜延伸，且沿多边形开口的每个面均为多边形，每个蜂巢状结构的位于多晶硅硅片表面的开口大于其内部的延伸的底面；蜂巢状结构的多边形开口直径为100~1000纳米、垂直深度为50~800纳米；倒金字塔结构在多晶硅硅片的表面显示为方形开口，沿方形开口的四个边分别向多晶硅片内部倾斜延伸，四个锥形平面连接形成倒金字塔结构的锥形；倒金字塔结构的方形开口的边长为100-1000纳米、垂直深度为50-800纳米，其倾斜的锥形平面法线与多晶硅硅片上表面法线间的夹角为20-65度。