[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

管芯，位于黏着层上；

封装体，位于所述管芯的侧边且位于所述黏着层的侧边；以及

重布线路结构，与所述管芯电性连接，包括：

第一介电层，位于所述封装体及所述管芯上；以及

第一重布线路层，嵌入于所述第一介电层中，其中所述第一重布线路层包括种子层及导体层，

其中所述种子层环绕所述导体层的侧壁，并位于所述导体层与所述第一介电层之间，

其中所述种子层与所述导体层形成线路及介层窗，所述线路位于所述第一介电层的上部，所述介层窗穿过所述第一介电层，以与所述线路及所述管芯电性接触，

其中所述第一介电层包括：

第一介电材料层，位于所述封装体及所述管芯上；以及

第二介电材料层，位于第一介电材料层上；

其中所述线路嵌入于所述第二介电材料层中，且所述介层窗穿过所述第二介电材料层及所述第一介电材料层。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一介电材料层与所述第二介电材料层的材料不同。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述第一介电材料层包括聚合物、无机介电材料或其组合。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述重布线路结构还包括嵌入于第二介电层中的第二重布线路层，其中所述第二重布线路层及所述第二介电层设置于所述第一重布线路层及所述第一介电层上。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述第一重布线路层的顶面与所述第一介电层及所述第二介电层之间的界面齐平。

6.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：

钝化层，位于所述重布线路结构上；以及

接件，位于所述钝化层上方，且穿过所述钝化层以与所述重布线路结构接触。

7.一种封装结构的形成方法，包括：

在管芯侧边形成封装体；以及

形成与所述管芯电性连接的重布线路结构，包括：

在所述封装体及所述管芯上形成介电层，其中所述介电层包括第一介电材料层以及位于所述第一介电材料层上的第二介电材料层，且所述第一介电材料层的材料与所述第二介电材料层的材料不同；

使用所述第一介电材料层作为停止层，而自所述第二介电材料层的顶面往下形成沟渠，所述沟渠暴露出所述第一介电材料层的顶面；

形成穿过所述介电层的介层孔，其中所述介层孔与所述沟渠空间连通，且暴露出所述管芯的接点；

在所述介层孔的侧壁与底部、所述沟渠的侧壁与底部以及所述介电层上形成种子层；

在所述种子层上形成导体层；以及

部分地移除位于所述介电层上的所述导体层及所述种子层，其中所述导体层及所述种子层的余留在所述介层孔及所述沟渠中的部分形成第一重布线路层。

8.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，更包括：

在形成所述导体层之前，在所述种子层上形成掩模层，其中所述掩模层具有开口，所述开口暴露出位于所述介层孔及所述沟渠中的所述种子层；以及

在形成所述导体层之后移除所述掩模层。

9.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其中移除所述介电层上的所述导体层及所述种子层包括进行平坦化工艺。

10.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其中形成所述重布线路结构还包括在所述第一重布线路层上形成第二重布线路层。

11.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其中形成所述沟渠或形成所述介层孔包括进行光刻工艺或者使用激光光束。