[发明专利]对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法

权利要求书

1.一种对氧化硅和氮化硅有选择地进行蚀刻的方法，其特征在于，包括：

在由等离子体处理装置所具有的腔室主体提供的腔室内准备被加工物的步骤；

在所述被加工物的温度被设定为第一温度的状态下，在所述腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对所述被加工物的氧化硅进行蚀刻的步骤；和

在所述被加工物的温度被设定为比所述第一温度高的第二温度的状态下，在所述腔室内生成含有碳、氢和氟的处理气体的等离子体，来对所述被加工物的氮化硅进行蚀刻的步骤，

在所述第一温度下，所述氧化硅的蚀刻率比所述氮化硅的蚀刻率高，

在所述第二温度下，所述氮化硅的蚀刻率比所述氧化硅的蚀刻率高，

所述等离子体处理装置还具有：

设置于所述腔室内的载置台，该载置台具有金属制的冷却台和隔着传热空间设置在所述冷却台上的静电卡盘，在所述冷却台的内部形成有制冷剂用的流路，在所述静电卡盘的内部设置有加热器；

能够向所述流路供给制冷剂的冷却单元；

排气装置；和

以将所述冷却单元和所述排气装置有选择地连接到所述传热空间的方式构成的配管系统，

所述方法还包括：

从所述冷却单元向所述流路和所述传热空间供给所述制冷剂，从而使所述被加工物的温度下降的步骤；和

使用所述排气装置使所述传热空间减压并使所述加热器发热，从而使所述被加工物的温度上升的步骤，

在执行所述使所述被加工物的温度下降的步骤将所述被加工物的温度设定为所述第一温度后，执行所述对氧化硅进行蚀刻的步骤，

在执行所述使所述被加工物的温度上升的步骤将所述被加工物的温度设定为所述第二温度后，执行所述对氮化硅进行蚀刻的步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述被加工物具有由氧化硅构成的多个第一层和由氮化硅形成的多个第二层，该多个第一层和该多个第二层交替层叠，

所述蚀刻氧化硅的步骤和所述蚀刻氮化硅的步骤交替执行。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述第一温度低于-30℃，所述第二温度高于-30℃。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置还具有执行所述腔室内的等离子体的分光分析的分析器，

基于由所述分析器得到的CO的发光强度判断为氧化硅的蚀刻结束时，使所述蚀刻氧化硅的步骤结束，

基于由所述分析器得到的CN的发光强度判断为氮化硅的蚀刻结束时，使所述蚀刻氮化硅的步骤结束。