[发明专利]一种低B的稀土磁铁

权利要求书

1.一种低B的稀土磁铁，所述稀土磁铁含有R₂T₁₄B主相，其特征在于，包括如下的原料成分：

R：13.5at％～14.5at％、

B：5.2at％～5.8at％、

Cu：0.3at％～0.8at％、

Co：0.3at％～3at％、

以及余量为T和不可避免的杂质，

所述的R为包括Nd的至少一种稀土元素，

所述T为主要包括Fe的元素。

2.根据权利要求1中所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述T还包括X，X为选自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3种元素，X元素的总组成为0at％～1.0at％；所述不可避免的杂质中，O含量控制在1at％以下、C含量控制在1at％以下以及N含量控制在0.5at％以下。

3.根据权利要求1或2中所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于，所述稀土磁铁由如下的步骤制得：将稀土磁铁成分熔融液制备成稀土磁铁用合金的工序；将所述稀土磁铁用合金粗粉碎后再通过微粉碎制成细粉的工序；将所述细粉用磁场成形法获得成形体，并在真空或惰性气体中以900℃～1100℃的温度对所述成形体进行烧结，在晶界中形成高Cu相结晶、中Cu相结晶和低Cu相结晶的工序。

4.根据权利要求3所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述高Cu相结晶的分子组成为RT₂系相，所述中Cu相结晶的分子组成为R₆T₁₃X系相，所述低Cu相结晶的分子组成为RT₅系相，所述高Cu相结晶和所述中Cu相结晶的总含量占晶界组成的65体积％以上。

5.根据权利要求4所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述的稀土磁铁为最大磁能积超过43MGOe的Nd-Fe-B系磁铁。

6.根据权利要求5所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：X为选自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3种元素，以上元素的总组成为0.3at％～1.0at％。

7.根据权利要求6所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述的R中，Dy、Ho、Gd或Tb的含量在1at％以下。

8.根据权利要求6所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述X包括Ga，Ga的含量为0.1at％～0.2at％。

9.根据权利要求6所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：所述稀土磁铁的氧含量在0.6at％以下。

10.一种低B的稀土磁铁，所述稀土磁铁含有R₂T₁₄B主相，其特征在于：包括如下的原料成分：

R：13.5at％～14.5at％、

B：5.2at％～5.8at％、

Cu：0.3at％～0.8at％、

Co：0.3at％～3at％、

以及余量为T和不可避免的杂质，

所述的R为包括Nd的至少一种稀土元素，

所述T为主要包括Fe的元素；

并由如下的步骤制得：将所述稀土磁铁原料成分熔融液制备成稀土磁铁用合金的工序；将所述稀土磁铁用合金粗粉碎后再通过微粉碎制成细粉的工序；将所述细粉用磁场成形法获得成形体，并在真空或惰性气体中以900℃～1100℃的温度对所述成形体进行烧结，在晶界中形成高Cu相结晶、中Cu相结晶和低Cu相结晶的工序，和在700℃～1050℃的温度下进行RH晶界扩散处理的工序。

11.根据权利要求10所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于：本发明中所述的RH选自Dy、Ho或Tb中的一种，所述T还包括X，X为选自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3种元素，X元素的总组成为0at％～1.0at％；所述不可避免的杂质中，O含量控制在1at％以下、C含量控制在1at％以下以及N含量控制在0.5at％以下。

12.根据权利要求10或11所述的一种低B的稀土磁铁，其特征在于，还包括时效处理的步骤：对上述经RH晶界扩散处理后的磁体在400℃～650℃的温度进行时效处理。