[发明专利]存储装置和存储系统

说明书

公开一种存储装置和存储系统。一种存储装置，包括：非易失性存储器装置；控制器，被配置为：通过第一端口与主机进行通信，通过第二端口与外部存储装置进行通信，基于第一映射信息控制所述非易失性存储器装置，从外部存储装置接收第二映射信息，从主机接收第一写入数据，基于第二映射信息，将第一写入数据选择性地发送到外部存储装置。

对2016年9月22日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0121582号韩国专利申请要求优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里描述的本发明构思的示例实施例涉及一种半导体存储器，更具体地讲，涉及一种存储装置、包括存储装置的用户装置和用户装置的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置可被分类为在断电时丢失存储在其中的数据的易失性存储器装置(诸如，静态随机存储存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM)和即使断电也保留存储在其中的数据的非易失性存储器装置(诸如，只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程(EEPROM)、闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(PRAM)和铁电RAM(FRAM))。

闪存装置被广泛用作计算系统中的大容量存储。基于闪存的大容量存储介质使用缓冲存储器(诸如，DRAM或SRAM)来补偿闪存装置的编程速度和计算系统的交互速度之间的差。然而，由于缓冲存储器占据存储介质较大面，所以增加缓冲存储器的容量引起成本的增加。因此，存在针对用于减小缓冲存储器的尺寸并提高大容量存储介质的性能的装置或方法的需求。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供一种具有提高的性能和提高的寿命的存储装置、包括该存储装置的用户装置以及操作用户装置的操作方法。

根据示例实施例的一方面，一种存储装置包括非易失性存储器装置和控制器。控制器通过第一端口与主机进行通信，通过第二端口与外部存储装置进行通信，基于第一映射信息控制所述非易失性存储器装置。控制器被配置为从外部存储装置接收第二映射信息，从主机接收第一写入数据，并基于第二映射信息将第一写入数据选择性地发送到外部存储装置。

根据示例实施例的另一方面，一种用户装置包括主机。第一存储装置被配置为通过第一端口与主机进行通信，第二存储装置被配置为通过第二端口与第一存储装置进行通信。第一存储装置被配置为从主机接收第一写入数据并将接收的第一写入数据发送到第二存储装置。第二存储装置被配置为存储接收的第一写入数据，第一写入数据是通过主机的请求而将被存储在第一存储装置中的数据。

根据示例实施例的另一方面，一种包括主机、第一存储装置和第二存储装置的用户装置的操作方法包括：在第一存储装置从主机接收第一写入数据，在第一存储装置将接收的第一写入数据传送到第二存储装置，在第二存储装置存储第一写入数据，在第一存储装置读取存储在第二存储装置中的第一写入数据，并在第一存储装置存储读取的第一写入数据。

一种存储系统包括第一存储装置和第二存储装置。第一存储装置包括第一非易失性存储器装置和第一控制器。第一控制器被配置为：基于第一映射信息，控制第一非易失性存储器装置，接收第二映射信息，接收第一写入数据，基于第二映射信息选择性地发送第一写入数据。第二存储装置包括第二非易失性存储器装置和第二控制器。第二控制器被配置为：基于第二映射信息控制第二非易失性存储器装置，将第二映射信息发送到第一存储装置，基于第二映射信息接收由第一存储装置选择性地发送的第一写入数据。

附图说明

通过下面参照下面附图的描述，上述和其他对象和特征将变得清楚，其中，除非另外指定，否则相同的参考标号始终表示相同的部件，其中：

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的用户装置的框图；

图2是示出图1的用户装置的软件层的框图；

图3是示出图1的控制器的框图；